11、晶闸管内部是()。A.PNPN四层半导体结构B.一组P型半导体和N型半导体构成的两层半导体结构C.由P型半导体和N型半导体交错构成的三层半导体结构D.PNPNP五层半导体结构

11、晶闸管内部是()。

A.PNPN四层半导体结构

B.一组P型半导体和N型半导体构成的两层半导体结构

C.由P型半导体和N型半导体交错构成的三层半导体结构

D.PNPNP五层半导体结构


参考答案和解析
正确

相关考题:

RCT是指()。 A.快速晶闸管B.双向晶闸管C.逆导晶闸管D.光控晶闸管

单向晶闸管内部有()个PN结。 A、1B、2C、3D、4

单向晶闸管内部是一个四层三端的硅半导体器件。() 此题为判断题(对,错)。

单向晶闸管内部是一个三层三端的锗半导体器件。() 此题为判断题(对,错)。

B/C车辅助逆变器谐振变换器A11的预充电装置主要由()组成。A、电阻B、晶闸管C、电阻和晶闸管D、电感和晶闸管

晶闸管内部的基本结构是由二个以上的PN结组成的。

晶闸管SCR内部共有()PN结。

晶闸管的内部结构具有4个PN结

KGLF11系列晶闸管同步电动机励磁装置的触发电路采用带小功率晶闸管放大的单结晶体管触发电路()

软启动器内部发热主要来自于晶闸管组件,通常晶闸管散热器的温度要求不高于()A、120℃B、100℃C、60℃D、75℃

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电力晶闸管GTR内部电流是由()形成的。A、电子B、空穴C、电子和空穴D、有电子但无空穴

晶闸管内部由()半导体次叠而成,有三个PN结,外部引出三个电极。

可工作于交流电源的晶闸管形式是()A、可关断晶闸管B、双向晶闸管C、大功率晶闸管D、功率晶闸管

KCLF11系列励磁装置励磁主回路是由()、晶闸管保护元件及附加电阻等部分组成。

晶闸管又称(),目前应用最多的是()和()晶闸管。

晶闸管稳定导通的条件()。A、晶闸管阳极电流大于晶闸管的擎住电流B、晶闸管阳极电流小于晶闸管的擎住电流C、晶闸管阳极电流大于晶闸管的维持电流D、晶闸管阳极电流小于晶闸管的维持电流

逆导晶闸管内部结构有一个晶闸管和一个(),进行反向并联。A、开关管B、二极管C、三极管D、GTO

晶闸管的内部结构具有()端、()层、()个PN结。

晶闸管是一个四层三端元件,其内部有()PN结。

晶闸管是一个四层三端元件元件,其内部有()PN结。

判断题普通晶闸管内部有两个PN结。A对B错

填空题晶闸管的内部结构具有()端、()层、()个PN结。

单选题可工作于交流电源的晶闸管形式是()A可关断晶闸管B双向晶闸管C大功率晶闸管D功率晶闸管

单选题晶闸管内部电路中,引出控制极的是();AP1BP2CN3DN4

填空题晶闸管SCR内部共有()PN结。

单选题晶闸管稳定导通的条件()。A晶闸管阳极电流大于晶闸管的擎住电流B晶闸管阳极电流小于晶闸管的擎住电流C晶闸管阳极电流大于晶闸管的维持电流D晶闸管阳极电流小于晶闸管的维持电流

单选题逆导晶闸管内部结构有一个晶闸管和一个(),进行反向并联。A开关管B二极管C三极管DGTO