逆变桥由4个晶闸管组成。每个晶闸管均串有空心电感以限制晶闸管导通时的() A、电流变化B、电流上升率C、电流上升D、电流
( )的英文缩写是GTR。 A、电力二极管B、门极可关断晶闸管C、电力晶体管D、电力场效应晶体管
电力晶体管GTR属于( )控制型元件。A.电流B.电压C.电阻D.频率
晶闸管由导通变为阻断的条件是流过晶闸管的电流到一定值。
在变频调速系统中最理想的电力元件是（）A、高电压晶闸管B、大电流晶闸管C、高电压大电流的晶闸管D、可关断的晶闸管
已获广泛应用的全控型电力电子器件有电力晶体管GTR、可关断晶体管GTO、电力（）晶体管MOSFET、绝缘删双极型晶体管IGBT和场控晶闸管MCT等
晶闸管可逆调速系统的英文缩写为（）。A、PWM-DB、VVVFC、SCR-DD、GTR
电力晶体管GTR内部电流是由（）形成的。A、电子B、空穴C、电子和空穴D、有电子但无空穴
逆变桥由晶闸管VT7～VT10组成。每个晶闸管均串有空心电感以限制晶闸管导通时的（）。A、电流变化B、电流上升率C、电流上升D、电流
和谐3号电力机车的整流元件为（）。A、晶闸管B、IGBTC、GTR
可以用过电流继电器作为过电流保护的电力电子器件是（）。A、功率晶体管GTRB、IGBTC、功率MOSFETD、晶闸管
现阶段通信开关电源使用的高频功率半导体器件有（）。A、MOSFETB、IGBTC、晶闸管D、GTR
在电力晶闸管电路中，常用的过电流保护有（）；（）；（）；（）等几种。
电力晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为（）。A、一次击穿B、二次击穿C、临界饱和D、反向截止
晶闸管稳定导通的条件（）。A、晶闸管阳极电流大于晶闸管的擎住电流B、晶闸管阳极电流小于晶闸管的擎住电流C、晶闸管阳极电流大于晶闸管的维持电流D、晶闸管阳极电流小于晶闸管的维持电流
电力电子器件GTR为（）器件。A、电压控制型B、电流控制型C、单极型D、双极型
可以用过电流继电器作为过电流保护的电力电子器件是（）。A、功率晶体管（GTR）B、IGBTC、功率MOSFETD、晶闸管
下列两种电力电子器件中均属于全控型器件的是（）A、GTO和SCRB、GTR和电力二极管C、GTR和SCRD、GTO和GTR
在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属于不可控器件的是（），属于半控型器件的是（），属于全控型器件的是（）；属于单极型电力电子器件的有（），属于双极型器件的有（），属于复合型电力电子器件得有（）；在可控的器件中，容量最大的是（），工作频率最高的是（），属于电压驱动的是电力（）属于电流驱动的是（）。
填空题电力晶体管GTR；可关断晶闸管（）；功率场效应晶体管MOSFET；绝缘栅双极型晶体管IGBT；IGBT是MOSFET和GTR的复合管。
单选题晶闸管稳定导通的条件（）。A晶闸管阳极电流大于晶闸管的擎住电流B晶闸管阳极电流小于晶闸管的擎住电流C晶闸管阳极电流大于晶闸管的维持电流D晶闸管阳极电流小于晶闸管的维持电流
单选题可以用过电流继电器作为过电流保护的电力电子器件是（）。A功率晶体管（GTR）BIGBTC功率MOSFETD晶闸管
多选题电力电子器件GTR为（）器件。A电压控制型B电流控制型C单极型D双极型
填空题在电力晶闸管电路中，常用的过电流保护有（）；（）；（）；（）等几种。
单选题在变频调速系统中最理想的电力元件是（）A高电压晶闸管B大电流晶闸管C高电压大电流的晶闸管D可关断的晶闸管
单选题（）的英文缩写是GTR。A电力二极管B门极可关断晶闸管C电力晶体管D电力场效应晶体管