从二极管的伏安特性曲线看,二极管两端施加的正向压降大于门槛电压时处于正向导通状态。

从二极管的伏安特性曲线看,二极管两端施加的正向压降大于门槛电压时处于正向导通状态。


参考答案和解析
指二极管两端电压U和流过的电流I之间的关系曲线。

相关考题:

硅二极管的正向导通压降和锗二极管的一样大。() 此题为判断题(对,错)。

要使二极管正向导通,外加正向电压必须大于二极管的死区电压。A对B错

硅二极管的正向导通压降比锗二极管的()。A、大B、小C、相等D、无法判定

极管如果采用正向接法,稳压二极管将()A、稳压效果变差B、稳定电压变为二极管的正向导通压降C、截止D、稳压值不变,但稳定电压极性发生变化

二极管导通时的正向电压称为正向压降(或管压降)。一般正常工作时,硅管的正向压降是()V。A、0.2B、0.3C、0.5D、0.7

在二极管两端加正向电压时,正向电流(),二极管处于()状态。

二极管处于导通状态时,二极管的压降()。A、为零B、硅管0.7V,锗管0.3VC、等于电路电压D、电压不变

当二极管两端正向偏置电压大于()电压时,二极管才能导通。A、击穿;B、饱和;C、门槛。

二极管正向导通后,正向管压降几乎不随电流变化。

稳压二极管工作在()A、正向导通状态B、反向导通状态C、正向击穿状态D、反向击穿状态

二极管具有单向导电性,加正向电压,二极管截止;加反向电压,二极管导通。

二极管正向导通时,压降很小,硅管0.2-0.3V,锗管0.5-0.7V。

二极管处于正向导通时,其正向压降变化不大,硅管约为(),锗管约为()

要使二极管正向导通,外加正向电压必须大于二极管的死区电压。

硅二极管的正向导通压降比锗二极管的大。()

二极管导通的条件是加在二极管两端的电压()A、正向电压大于PN结的死区电压B、正向电压等于零C、必须加反向电压

在线性检波电路中,二极管的正向导通压降是否带来检波误差?

二极管正向导通时的正向电压值称为管压降,一般小功率硅管的管压降可为()V。A、0.6B、0.7C、0.8D、1.0

从二极管伏安特性曲线可以看出,二极管两端压降大于()时处于正偏导通状态。A、0B、死区电压C、反向击穿电压D、正向压降

硅二极管的正向导通压降比锗二极管的()

二极管当正向电压超过UVD后,二极管开始导通。正常导通时,二极管的正向管压降很小,硅管约为(),锗管约为()。

在常温下,硅二极管的门槛电压约为(),导通后在较大电流下的正向压降约为();锗二极管的门槛电压约为(),导通后在较大电流下的正向压降约为()。

普通硅二极管的正向导通压降范围大约为()V,在工程估算中一般取()V;锗二极管的正向导通压降范围大约为()V,在工程估算中一般取()V。发光二极管的正向导通压降范围大约为()V。

锗二极管工作在导通区时正向压降大约是(),死区电压是()。

二极管两端正向电压大于()时,二极管才导通。A、击穿电压B、开启电压C、夹断电压D、直流电压

二极管在正向电压作用下处于()状态。如果不计二极管的正向压降,它相当于开关处于()状态。

利用二极管()的特性,可以获得较好的稳压性能。A、单向导通B、反向击穿C、正向导通D、正向压降

判断题要使二极管正向导通,外加正向电压必须大于二极管的死区电压。A对B错