4、IGBT是晶体管和MOS管的组合,它的功率容量不高。

4、IGBT是晶体管和MOS管的组合,它的功率容量不高。


参考答案和解析
错误

相关考题:

IGBT是开关电源中的一种常用功率开关管,它的全称是()。 A.绝缘栅场效应管B.结型场效应管C.绝缘栅双极晶体管D.双极型功率晶体管

地铁电动列车下列描述正确的是:A.VVVF逆变器采用IGBT开关元件,每辆动车有2个VVVF单元,每个单元控制2台180kW电机B.列车具有电阻制动和再生制动功能,但当一辆动车中的一个VVVF逆变器单元故障时,该车仍具有电制动功能C.IGBT是一种由单极性的MOS和双极晶体管复合而成的器件。它兼有MOS和晶体管二者的优点,属电流型驱动器件D.VVVF装置位于拖车,每车1台

GBT与场管的区别,正确的有()A、场管比IGBT频率高B、IGBT比场管导通压降低C、单支IGBT的 功率容量比场管容量大D、IGBT的开关损耗比场管大E、IGBT 适合低于20KHZ的逆变电路,场管适合200KHZ以下的逆变电路

功率开关器件可以说是开关电源的心脏,下面哪一种开关器件不是开关电源所采用的()。A、MOSFET功率场效应管B、IGBT绝缘栅双极晶体管C、GTR晶闸管D、BJT双极型晶体管

逆变弧焊机电源是目前最先进的弧焊电源,主要有可控硅(SCR)逆变弧焊电源、场效应管(MOS)逆变弧焊电源和绝缘栅双极性晶体管(IGBT)逆变弧焊电源。

IGBT与场管的区别,正确的有()A、场管比IGBT频率高B、IGBT比场管导通压降低C、单支IGBT的 功率容量比场管容量大D、IGBT的开关损耗比场管大E、IGBT 适合低于20KHZ的逆变电路,场管适合200KHZ以下的逆变电路

不属于IGBT管特点的是()A、IGBT管为混合器件B、驱动功率容量小C、电流等级为10A—400AD、IGBT管是一种电流型器件

一号线地铁列车逆变器的IGBT是一种由单极性的MOS和双极晶体管复合而成的器件,它兼有MOS和晶体管二者的优点,属于电流型驱动器件。

目前高频开关整流器采用的高频功率开关器件通常有功率MOSFET、IGBT管、以及两者混合管和()等等。A、晶闸管B、可控硅C、功率集成器件D、晶体管

功率场效应晶体管简称为()。A、GTOB、GTRC、P-MOSFETD、IGBT

IGBT比大功率晶体管有什么优点?

功率MOS场效应晶体管具有()、()和()。

IGBT是开关电源中的一种常用功率开关管,它的全称是()。A、绝缘栅场效应管B、结型场效应管C、绝缘栅双极晶体管D、双极型功率晶体管

MOS场效应管的英语缩写是()。A、“IGBT”B、“BJT”C、“GTO”D、“MOSFET”

大功率晶体管的文字符号是()A、GTOB、GTRC、P-MOSFETD、IGBT

请在空格内标出下面元件的简称:电力晶体管();可关断晶闸管();功率场效应晶体管();绝缘栅双极型晶体管();IGBT是()和()的复合管。

双极型功率晶体管和MOSFET的复合器件是IGBT。

请在正确的空格内标出下面元件的简称:电力晶体管();可关断晶闸管();功率场效应晶体管();绝缘栅双极型晶体管();IGBT是()和()的复合管。

IGBT是一种由单极性的MOS和双极晶体管复合而成的器件,它兼有MOS和晶体管二者的优点,属于电压型驱动器件。

关于二极管混频器和晶体管混频器,下面说法有误的是()A、二极管混频器组合频率少、动态范围大B、二极管混频器的变频功率增益小于1C、晶体管混频器组合频率多、干扰严重D、晶体管混频器没有变频功率增益

多选题开关电源中常用的功率开关器件主要有()A双极型晶体管BJTB快速晶闸管SCRC场效应管MOSFETD绝缘栅双极性晶体管IGBT

判断题一号线地铁列车逆变器的IGBT是一种由单极性的MOS和双极晶体管复合而成的器件,它兼有MOS和晶体管二者的优点,属于电流型驱动器件。A对B错

填空题电力晶体管GTR;可关断晶闸管();功率场效应晶体管MOSFET;绝缘栅双极型晶体管IGBT;IGBT是MOSFET和GTR的复合管。

填空题请在空格内标出下面元件的简称:电力晶体管();可关断晶闸管();功率场效应晶体管();绝缘栅双极型晶体管();IGBT是()和()的复合管。

填空题请在正确的空格内标出下面元件的简称:电力晶体管();可关断晶闸管();功率场效应晶体管();绝缘栅双极型晶体管();IGBT是()和()的复合管。

判断题IGBT是一种由单极性的MOS和双极晶体管复合而成的器件。它兼有MOS和晶体管二者的优点,属电流型驱动器件。A对B错

单选题MOS场效应管的英语缩写是()。A“IGBT”B“BJT”C“GTO”D“MOSFET”

判断题双极型功率晶体管和MOSFET的复合器件是IGBT。A对B错