三氯氢硅的氢还原法可以制备单晶硅。

三氯氢硅的氢还原法可以制备单晶硅。


参考答案和解析
错误

相关考题:

三氯氢硅在空气中的爆炸极限为( )%。A.3.0~40.0B.4.0~46.0C.6.9~70.0D.30.0~40.0

硅提纯及制备工艺流程正确的是()。 A、石英砂-西门子法多晶硅-金属硅-直拉单晶硅B、金属硅-石英砂-西门子法多晶硅-直拉单晶硅C、石英砂-金属硅-西门子法多晶硅-直拉单晶硅D、西门子法多晶硅-石英砂-金属硅-直拉单晶硅

糖是由()三种元素组成的。A.碳、氢、氧B.氮、氢、氧C.氯、氢、氧D.氟、氢、氧

为排除注射液中抗氧剂亚硫酸氢钠对氧化还原法的干扰,常加入的掩蔽剂是A:硬脂酸镁B:三氯甲烷C:丙酮D:酒石酸E:甲醇

将硅砂转化成可用多晶硅的形式纰谬的是()A、四氯化硅法B、三氯氢硅法C、氯化钾法D、硅烷法

叙述从硅砂到单晶硅棒和多晶硅锭的主要步骤及其相关制备工艺名称。

用氢还原氧化物的特点是什么?在氢还原法制钨的第三阶段中,温度高于1200的反应会发生什么变化?

煤的组成主要的元素有碳、氧、氮、氢和()。A、氯B、硫C、硅

地壳中含量最高的三种元素是()A、氢、铁、铝B、氧、硅、铝C、氧、铁、铝D、氢、硅、铝

地壳中含量最高的3种元素为()A、氢、氧、硅B、氧、硅、铝C、氢、氧、铝D、氢、铝、硅

总星系物质含量最多的是(),其次是()。A、氢 氦B、氢 硅C、硫 氢D、氦 氢

钢中的有害杂质元素有()。A、硅、钙B、氯、硫C、氢D、硫、磷

铜基催化剂还原的方法有()A、低氢还原法、无氢还原法B、低氢还原法、高氢还原法C、高氢还原法、高氢还原法

糖是由()三种元素组成的。A、碳、氢、氧B、氮、氢、氧C、氯、氢、氧D、氟、氢、氧

()是将熔融后的多晶硅与单晶硅的结晶进行接触,边缓慢旋转提拉,使结晶生长,最后得到长棒形状的单晶硅。A、直拉法B、铸锭法C、西门子法D、三氯氢硅还原法

下列属于制作非晶硅太阳电池常用的方法的是()。A、三氯氢硅还原法B、辉光放电法C、硅烷热分解法D、四氯化硅还原法

工业中单晶硅的制备方法主要有()和区熔法(FZ法)

目前多晶硅原料的制备方法主要有三氯氢硅法(改良西门子法)和()两种方法。

以下是制备a-SI的方法是()A、三氯氢硅还原法B、辉光放电法C、硅烷热分解法D、四氯化硅还原法

下面哪种不是单晶硅的制备方法()。A、硅带法B、区熔法C、直拉单晶法D、磁拉法

单选题下列不属于三氯氢硅性质的是()。A无色透明B易燃易爆C不易挥发和水解D有刺激性气味

单选题地壳中含量最高的三种元素是()A氢、铁、铝B氧、硅、铝C氧、铁、铝D氢、硅、铝

填空题提拉出合格的单晶硅棒后,还要经过()、()、()等工序过程方可制备出符合集成电路制造要求的硅衬底片。

问答题将圆柱形的单晶硅锭制备成硅片需要哪些工艺流程?

问答题氢还原法的特点

填空题集成电路用单晶硅的主要制备方法是()

单选题地壳中含量最高的3种元素为()A氢、氧、硅B氧、硅、铝C氢、氧、铝D氢、铝、硅

单选题将硅砂转化成可用多晶硅的形式纰谬的是()A四氯化硅法B三氯氢硅法C氯化钾法D硅烷法