1、下列关于二极管描述说法错误的是（）A．按照材料分，可分为硅管和锗管。B．按照制造工艺分可分为点接触型、面接触型和平面型。C．点接触型二极管结面积小，结间电容小，适用于高频下工作。D．面接触型二极管结面积大，结电容大，也适用于高频工作。
1、下列关于二极管描述说法错误的是（）
A．按照材料分，可分为硅管和锗管。
B．按照制造工艺分可分为点接触型、面接触型和平面型。
C．点接触型二极管结面积小，结间电容小，适用于高频下工作。
D．面接触型二极管结面积大，结电容大，也适用于高频工作。
参考答案和解析
二极管是由杂质半导体构成
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关于N型半导体的下列说法，错误的是：（）A、自由电了是多数载流子B、在二极管中由N型半导体引出的线是二极管的阴极C、在纯净的硅晶体中三价元素硼，可形成N型半导体D、在PNP型晶体管中，基区是N型半导体
下列关于稳压二极管的叙述中（）是错误的。A、它有两个电极，一个阳极，一个阴极B、稳压二极管在电路中正向连接C、稳压二极管是利用反向击穿区的稳压特性进行工作的D、稳压二极管的正向特性和普通二极管相同
单选题在非线性元件的伏安特性研究中，以下关于发光二极管的说法错误的是（）A发光二极管的核心结构是PN结B发光二极管是线性元件C发光二极管发出的光是电子与空穴复合释放能量的结果D发光二极管在电路中可以作为指示灯来使用
单选题关于N型半导体的下列说法，错误的是（）。A自由电了是多数载流子B在二极管中由N型半导体引出的线是二极管的阴极C在纯净的硅晶体中加入三价元素硼，可形成N型半导体D在PNP型晶体管中，基区是N型半导体
单选题以下关于NAS的描述，正确的是：（） 描述1：NAS总是基于文件共享。 描述2：网络连接的距离影响NAS的性能。A描述1和描述2都正确B描述1正确，描述2错误C描述1错误，描述2正确D描述1和描述2都错误
单选题下列关于人格的描述，说法错误的是()。A遗传B环境C团体D情境