下列关于N型MOSFET的说法，不正确的有A．NMOS器件包括栅（G），源（S），漏（D）等端口。B．NMOS器件的源漏对称。C．NMOS器件作为开关使用时，栅极接高电平，则源-漏端导通。D．NMOS器件作为开关使用时，栅极接低电平，则源-漏端断开
下列关于N型MOSFET的说法，不正确的有
A．NMOS器件包括栅（G），源（S），漏（D）等端口。
B．NMOS器件的源漏对称。
C．NMOS器件作为开关使用时，栅极接高电平，则源-漏端导通。
D．NMOS器件作为开关使用时，栅极接低电平，则源-漏端断开
参考答案和解析
导通后，管压降比较低，管子消耗功率少，因此发热小
相关考题：
下列说法中不正确的有________。 A、n个顶点的无向连通图的边数为 n(n-1)B、图的广度优先遍历过程是一个递归过程C、n个顶点的有向完全图的弧数为 n(n-1)D、有向图的强连通分量是有向图的极大强连通子图
关于P型．N型半导体内参与电的粒子，下列说法正确的是（）A、无论是P型还是N型半导体，参与导电的都是自由电子和空穴B、P型半导体中只有空穴导电C、N型半导体中只有自由电子参与导电D、在半导体中有自由电子.空穴.离子参与导电
关于N型半导体的下列说法，错误的是：（）A、自由电了是多数载流子B、在二极管中由N型半导体引出的线是二极管的阴极C、在纯净的硅晶体中三价元素硼，可形成N型半导体D、在PNP型晶体管中，基区是N型半导体
单选题关于N型半导体的下列说法，错误的是（）。A自由电了是多数载流子B在二极管中由N型半导体引出的线是二极管的阴极C在纯净的硅晶体中加入三价元素硼，可形成N型半导体D在PNP型晶体管中，基区是N型半导体
填空题N沟道MOSFET的衬底是（）型半导体，源区和漏区是（）型半导体，沟道中的载流子是（）。