下列各项中不是电平控制型器件的是()。 A.GTOB.GTRC.IGBTD.MOSFET
下列各项中不是电平控制型器件的是()。
A.GTO
B.GTR
C.IGBT
D.MOSFET
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下列关于74HCT系列逻辑器件输入输出电平的描述中，正确的是(27)。A．输入为TTL电平，输出为TTL电平B．输入为CMOS电平，输出为TTL电平C．输入为TTL电平，输出为CMOS电平D．输入为CMOS电平，输出为CMOS电平
● 下列关于74HCT 系列逻辑器件输入输出电平的描述中，正确的是 （27） 。（27）A. 输入为TTL电平，输出为TTL电平B. 输入为CMOS 电平，输出为TTL电平C. 输入为TTL电平，输出为CMOS 电平D. 输入为CMOS 电平，输出为CMOS 电平
下列关于N型MOSFET的说法，不正确的有A．NMOS器件包括栅（G），源（S），漏（D）等端口。B．NMOS器件的源漏对称。C．NMOS器件作为开关使用时，栅极接高电平，则源-漏端导通。D．NMOS器件作为开关使用时，栅极接低电平，则源-漏端断开
2、下列说法中，哪些是错误的A．对CMOS结构的NAND3，若每个MOS器件的导通电阻完全相同，当高电平容限与低电平容限相同时，高电平驱动能力与低电平驱动能力相同B．对CMOS结构的NAND3，若每个MOS器件的导通电阻完全相同，当高电平容限与低电平容限相同时，高电平驱动能力是低电平驱动能力的3倍C．对CMOS结构的NAND3，若每个MOS器件的导通电阻完全相同，当高电平容限与低电平容限相同时，低电平驱动能力是高电平驱动能力的3倍D．对CMOS结构的NOR3，若每个MOS器件的导通电阻完全相同，当高电平容限与低电平容限相同时，高电平驱动能力是低电平驱动能力的3倍