关于PN结正偏时的正确说法是()。A.P端接正极,N端接负极B.P端接负极,N端接正极C.P端和N端均接正极D.P端和N端均接负极

关于PN结正偏时的正确说法是()。

A.P端接正极,N端接负极

B.P端接负极,N端接正极

C.P端和N端均接正极

D.P端和N端均接负极


参考答案和解析
P端接正极,N端接负极

相关考题:

三极管工作在放大状态时,它的两个PN结必须是() A、发射结和集电结同时正偏B、发射结和集电结同时反偏C、集电结正偏,发射结反偏D、集电结反偏,发射结正偏

耗尽型MOSFET,栅源极之间的PN结()。A、必须正偏B、必须零偏C、必须反偏D、可以正偏、零偏或反偏

PN结正偏时导通,反偏时截止,所以PN结具有单向导电性。() 此题为判断题(对,错)。

对图所示的固定偏置电路,以下说法正确的是(  )。A.发射结正偏,集电结反偏,电路对正弦交流信号有放大作用B.发射结反偏,集电结正偏,电路没有放大作用C.发射结、集电结均处正偏,电路没有放大作用D.发射结、集电结均处反偏,电路没有放大作用

PN结正偏时,正向电流(),相当于PN结()。A.较小;导通B.较大;导通C.较小;截止D.较大;截止

PN结正偏的特性是()。A.正偏电阻小、正偏电流大B.正偏电阻大、正偏电流小C.正偏电阻小、正偏电流小D.正偏电阻大、正偏电流大

PN结正偏的特性是()A、正偏电阻小,正偏电流大B、正偏电阻大,正偏电流大C、正偏电阻小,正偏电流小D、正偏电大,正偏电流小

晶体三极管用于放大时则()A、发射结反偏,基电结反偏。B、发射结正偏,基电结反偏。C、发射结正偏,基电结正偏。D、发射结反偏,基电结正偏。

PN结正偏的特性是()。A、正偏电阻小、正偏电流大B、正偏电阻大、正偏电流大C、正偏电阻小、正偏电流小D、正偏电阻大、正偏电流小

PN结正偏时,PN结的电阻径大。

三极管工作在放大状态时,PN结的偏置状态是()。A、发射结、集电结皆正偏B、发射结、集电结皆反偏C、发射结正偏,集电结反偏D、发射结反偏,集电结正偏

PN结正偏时,有利于()载流子的运动,阻碍()载流子的运行。

工作在截止区的三极管的两个PN结()。A、均正偏B、均反偏C、一个正偏,一个反偏D、都不对

给PN结加正向电压(正偏)时,耗尽层将()A、变窄B、变宽C、不变

当晶体三极管的两个PN结都正偏时,晶体三极管处于什么状态?

PN结正偏时(),反偏时(),所以PN结具有()导电性。

对于结型场效应管,栅源极之间的PN结()A、必须正偏B、必须零偏C、必须反偏D、可以任意偏置

使PN结正偏的方法是:将P区接()电位,N区接()电位。

半导体三极管处在饱和状态时是()A、发射结反偏集电结反偏B、发射结正偏集电结反偏C、发射结正偏集电结正偏D、发射结反偏集电结正偏

和开路PN结的结区宽度相比较,当PN结加正偏电压时,其结区宽度将变();当PN结加反偏电压时,其结区宽度将变()

晶体三极管工作在饱和状态时,其两个PN结的偏置状态是()A、发射结正偏,集电结正偏B、发射结正偏,集电结反偏C、发射结反偏,集电结正偏D、发射结反偏,集电结反偏

使PN结正偏的方法是:将P区接()电位,N区接()电位。正偏时PN结处于()状态,反偏时PN结处于()状态。

两个PN结均为正偏时,晶体管工作在饱和状态;两个PN结均为反偏时,晶体管工作在截止状态。

PN结具有()特性。A、正偏B、反偏C、单向D、双向

填空题PN结的单向导电性,就是PN结正偏时(),反偏时()。

单选题三极管工作在放大状态时,它的两个PN结必须是()。A发射结和集电结同时反偏B发射结正偏,集电结反偏C发射结和集电结同时正偏D发射结反偏,集电结正偏

问答题简述PN结光伏效应(分正偏、反偏、零偏三种情况)。

填空题PN结正偏时(),反偏时(),所以PN结具有()导电性。