型号为2CP10的正向硅二极管导通后的正向压降约为( )。 A、0.2 VB、0.7 VC、1 V
二极管的基本特性是______,硅管导通时正向压降约为______V。
( )往往专指电力二极管工作状态在通态和断态之间转换过程的开关特性。A、静态特性B、动态特性C、正向特性D、负向特性
在判别锗、硅二极管时,当测出正向压降为()时,将认为此二极管为锗二极管;当测出正向压降为()时,将认为此二极管为硅二极管。
硅二极管导通时的正向压降为()V,锗二极管导通时的正向压降为()V。
二极管导通时的正向电压称为正向压降（或管压降）。一般正常工作时，硅管的正向压降是（）V。A、0.2B、0.3C、0.5D、0.7
已知一只二极管的正向压降为0.7V，通过它的电流为50mA，此情况下，二极管的正向电阻为（）Ω
二极管正向导通时，压降很小，硅管0.2-0.3V，锗管0.5-0.7V。
若二极管是理想的，正向导通时正向管压降为（）A、0.3B、0.7C、0D、10
晶体二极管特性为（）导通，（）截止，导通后硅管压降为（），锗管压降为（）。
发光二极管的导通压降为（）A、0.5～0.7VB、1V左右C、1.8～2.5V
发光二极管的正向压降为（）左右。A、0.2VB、0.7VC、2V
常温下，硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V；锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V。
晶体二极管导通时的正向压降：硅管约为（）V，锗管约为（）V。通常硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。
测得某二极管的正向电流为1mA，正向压降为0.65V，该二极管的直流电阻等于（）Ω，交流电阻等于26Ω。
在常温下，硅二极管的门限电压约（）V，导通后在较大电流下的正向压降约（）V，锗二极管的门限电压约（）V，导通后在较大电流下的正向压降约（）V。
普通硅二极管的正向导通压降范围大约为（）V，在工程估算中一般取（）V；锗二极管的正向导通压降范围大约为（）V，在工程估算中一般取（）V。发光二极管的正向导通压降范围大约为（）V。
硅材料电力二极管正向压降为（）A、0.3VB、0.7VC、1VD、1.5V
普通电力二极管正向通态压降为（）V。A、1B、3C、5D、7
常温下，硅二极管的正向导通压降为（）。A、0.3V；B、0.7V；C、1V
单选题普通电力二极管正向通态压降为（）V。A1B3C5D7
单选题发光二极管的正向压降为（）左右。A0.2VB0.7VC2V
单选题若二极管是理想的，正向导通时正向管压降为（）A0.3B0.7C0D10
填空题常温下，硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V；锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V。
单选题硅开关二极管导通时的正向压降为（）。A0.5VB0.7VC0.1VD0.3V