判断题非对称性突触为抑制性突触。A对B错
判断题
非对称性突触为抑制性突触。
A
对
B
错
参考解析
解析：
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相关考题：
突触前抑制的轴－体突触处,突触后电位变化特征为() A、兴奋性突触后电位绝对值增大B、兴奋性突触后电位绝对值减少C、抑制性突触后电位绝对值减少D、抑制性突触后电位绝对值增大E、突触后电位变化不大
对突触后抑制与突触前抑制特征比较的叙述,错误的是() A、前者发生于突触后膜，后者发生于突触前膜B、前者中间神经元是抑制性的，后者中间神经元为兴奋性的C、前者为超极化抑制，后者为去极化抑制D、两者抑制都与IPSP有关E、两者最终均使突触后神经元抑制
下列关于突触前抑制的叙述，错误的是A、突触前抑制的产生是由于突触前膜释放兴奋性递质减少B、突触前抑制的产生是由于突触前膜释放抑制性递质C、突触前抑制建立的结构基础是突触前有轴突-轴突式突触D、潜伏期短，持续时间短E、可调节控制感觉信息的传入活动
由于不同递质对突触后膜通透性影响的不同，突触后电位的类型包括A、兴奋性突触后电位和局部电位B、抑制性突触后电位和局部电位C、兴奋性突触后电位、抑制性突触后电位和局部电位D、兴旮性突触后电位或抑制性突触后电位E、兴奋性突触后电位和抑制性突触后电位
单选题由于不同递质对突触后膜通透性影响的不同，突触后电位的类型包括（）A兴奋性突触后电位和局部电位B抑制性突触后电位和局部电位C兴奋性突触后电位、抑制性突触后电位和局部电位D兴旮性突触后电位或抑制性突触后电位E兴奋性突触后电位和抑制性突触后电位
多选题下列关于突触前抑制的叙述，错误的是（）A突触前抑制的产生是由于突触前膜释放兴奋性递质减少B突触前抑制的产生是由于突触前膜释放抑制性递质C突触前抑制建立的结构基础是突触前有轴突-轴突式突触D潜伏期短，持续时间短E可调节控制感觉信息的传入活动
单选题属于兴奋性突触的描述的是（）。A突触间隙≤20nmB前后膜对称性增厚C突触小泡为S型D突触前栅细孔10～20nmE突触小泡为F型