判断题在晶片制造中，有两种方法可以向硅片中引入杂质元素，即热扩散和离子注入。A对B错

判断题
在晶片制造中，有两种方法可以向硅片中引入杂质元素，即热扩散和离子注入。
A

对

B

错

参考解析

解析： 暂无解析

相关考题：

特殊杂质A、药物纯净程度B、在个别药物生产和贮存过程中引入的杂质C、药物中所含杂质的最大允许量D、自然界中存在较广泛在多种药物的生产和贮藏过程中容易引入的杂质E、杂质本身一般无害但其含量多少可以反映出药物纯度水平
查看答案
通常我们把碳钢含有杂质中的硅、锰认为是有益元素，硫、磷认为是有害元素。
查看答案
热退火用于消除离子注入造成的损伤，温度要低于杂质热扩散的温度，然而，杂质纵向分布仍会出现高斯展宽与拖尾现象，解释其原因。
查看答案
半导体中的离子注入掺杂是把掺杂剂（）加速到的需要的（），直接注入到半导体晶片中，并经适当温度的（）。
查看答案
下列材料属于N型半导体是（）。A、硅中掺有元素杂质磷（P）、砷（As）B、硅中掺有元素杂质硼B.、铝（Al）C、砷化镓掺有元素杂质硅（Si）、碲（TE）D、砷化镓中掺元素杂质锌、镉、镁
查看答案
铁碳合金中的杂质元素对在适量的情况下有利的是（）。A、硫B、磷C、锰D、硅
查看答案
低碳钢中，不属于杂质元素的是：（）A、铁和碳B、锰和硅C、硫和磷D、氮和氢
查看答案
在钢材中（）元素是有害杂质，会使钢的性能变坏。A、碳B、硫C、硅D、锰
查看答案
钢轨在制造过程中含硅过多（0.9％）容易在焊缝中产生（）、杂质。
查看答案
对于浓度覆盖很宽的杂质原子，可以采用（）方法引入到硅片中。A、离子注入B、溅射C、淀积D、扩散
查看答案
为什么说碳钢中的杂质元素硅和锰是有益元素，而硫和磷是有害元素？
查看答案
下列哪两种杂质是钢中的有害元素，但它们能使切屑易断，可改善切削加工性能（）。A、硅和磷B、锰和硫C、碳和硫D、硫和磷
查看答案
压电晶片连接方式有两种，即（）和并联.
查看答案
碳素钢中除铁和碳两种元素外，还有一些常存元素，有害的常存元素是（）。A、硅、锰B、硫、磷C、硅、磷
查看答案
地壳中含量最多的两种元素是（）。A、氧和铝B、铝和硅C、铁和镁D、氧和硅
查看答案
填空题杂质原子（或离子）在半导体晶片中的扩散机构比较复杂，但主要可分为两种机构：替位式扩散和（）式扩散。
查看答案
填空题杂质在硅晶体中的扩散机制主要有两种，分别是（）扩散和（）扩散。杂质只有在成为硅晶格结构的一部分，即（），才有助于形成半导体硅。
查看答案
单选题杂质在硅晶体中的扩散机制主要有两种，分别是间隙式扩散机制和替代式扩散机制。杂质只有在成为硅晶格结构的一部分，即（），才有助于形成半导体硅。A 激活杂质后B 一种物质在另一种物质中的运动C 预淀积D 高温多步退火
查看答案
填空题热扩散利用（）驱动杂质穿过硅的晶体结构，这种方法受到（）和（）的影响。
查看答案
填空题压电晶片连接方式有两种，即（）和并联.
查看答案
单选题下列哪两种杂质是钢中的有害元素，但它们能使切屑易断，可改善切削加工性能()。A硅和磷B锰和硫C碳和硫D硫和磷
查看答案
填空题钢轨在制造过程中含硅过多（0.9％）容易在焊缝中产生（）、杂质。
查看答案
判断题在晶片制造中，有两种方法可以向硅片中引入杂质元素，即热扩散和离子注入。A对B错
查看答案
问答题简述离子注入工艺相对于热扩散工艺的优缺点。
查看答案
单选题离子注入与热扩散相比，哪个横向效应小（）A 离子注入B 热扩散
查看答案
问答题为什么说碳钢中的杂质元素硅和锰是有益元素，而硫和磷是有害元素？
查看答案
填空题硅中固态杂质的热扩散需要三个步骤（）、（）和（）。
查看答案
判断题在硅中固态杂质的热扩散需要三个步骤：预淀积、推进和激活。A对B错
查看答案
热门标签