单选题单结晶体管的图形符号中有()发射极。A0个B1个C2个D3个

单选题
单结晶体管的图形符号中有()发射极。
A

0个

B

1个

C

2个

D

3个


参考解析

解析: 暂无解析

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对于单结晶体管,当发射极电压()谷点电压时,单结晶体管恢复截止。 A、小于B、等于C、大于D、远大于

单结晶体管因其发射极和基极个数,也被称为()。 A、双基极二极管B、双发射极二极管C、双基极三极管D、双发射极三极管

10)单结晶体管当发射极与基极b1之间的电压超过峰点电压Up时,单结晶体管导通( )

下列关于非比例符号中定位点位置的叙述错误的是()A:几何图形符号,定位点在符号图形中心B:符号图形中有一个点,则该点即为定位点C:宽底符号,符号定位点在符号底部中心D:底部为直角形符号,其符号定位点位于最右边顶点处

下面是单结晶体管的特点说法正确的是()。A、当发射极电压等于峰点电压UP时,单结晶体管导通,导通之后,当发射极电压减小到UEV时,管子由导通变为截止B、单结晶体管的发射极与第一基极的电阻RB1随发射极电流增大而变小,RB2则与发射极电流无关C、不同的单结晶体管有不同的UP和UVD、一般单结晶体管的谷点电压在5~10VE、单结晶体管体积小重量轻

可控硅的图形符号就是二极管的图形符号上加一个()。A、基极B、发射极C、集电极D、控制极

单结晶体管达到导通时的发射极电压叫()电压,从负阻区到饱和区的最小发射极电压叫作()电压。

单结晶体管的发射极与第一基极的电阻RB1随发射极电流增大而变大,RB2则与发射极电流无关。

单结晶体管电路,如发射极电压等于峰点电压UP时,单结晶体管导通,导通后,当发射极电压减小到小于UV时,管子由导通变为截至。()

单结晶体管的发射极电压高于谷点电压时,晶体管就导通。

当单结晶体管的发射极电压高于()电压时,就导通。A、额定B、峰点C、谷点D、安全

单结晶体管导通条件表述不正确的是()。A、发射极电压大于峰点电压B、发射极电压小于峰点电压C、发射极电压小于谷点电压D、发射极电压大于谷点电压

单结晶体管的发射极电压高于()电压时就导通。A、额定B、峰点C、谷点D、安全

单结晶体管的图形符号中有()发射极。A、0个B、1个C、2个D、3个

单结晶体管是由一个发射极和()组成的晶体管。

单结晶体管的发射极电压升到()电压时,单结晶体管就导通。A、谷点B、峰点C、阴极D、阳极

单结晶体管具有一个发射极、一个基极、一个集电极。

单结晶体管导通条件是()。A、发射极电压大于峰点电压;B、发射极电压小于峰点电压;C、发射极电压小于谷点电压;D、发射极电压大于谷点电压。

改变单结晶体管触发电路的振荡频率一般应采用改变什么的方法()。A、发射极电阻B、电源电压C、振荡电容D、单结晶体管的电流

单结晶体管发射极的文字符号是()A、CB、DC、ED、F

单选题单结晶体管的发射极电压升到()电压时,单结晶体管就导通。A谷点B峰点C阴极D阳极

单选题单结晶体管触发电路中,单结晶体管发射极的电容容量变大,控制角()。A变小B不变C变大D其它

单选题下面关于非比例符号中定位点位置的叙述错错误误的是()A几何图形符号,定位点在符号图形中心B符号图形中有一个点,则该点即为定位点C宽底符号,符号定位点在符号底部中心D底部为直角形符号,其符号定位点位于最右边顶点处

填空题单结晶体管达到导通时的发射极电压叫()电压,从负阻区到饱和区的最小发射极电压叫作()电压。

填空题单结晶体管是由一个发射极和()组成的晶体管。

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