改变单结晶体管触发电路的振荡频率一般采用()。 A、变ReB、变CC、变LD、变C和L
改变单结晶体管触发电路的振荡频率,一般采用改变()的方法。 A、基极电阻B、两基极之间的电压C、发射极上RC电路的时间常数D、单结管的电流
用单结晶体管、电阻、电容可以组成一个频率可调的振荡电路。() 此题为判断题(对，错)。
下面是单结晶体管的特点说法正确的是（）。A、当发射极电压等于峰点电压UP时，单结晶体管导通，导通之后，当发射极电压减小到UEV时，管子由导通变为截止B、单结晶体管的发射极与第一基极的电阻RB1随发射极电流增大而变小，RB2则与发射极电流无关C、不同的单结晶体管有不同的UP和UVD、一般单结晶体管的谷点电压在5～10VE、单结晶体管体积小重量轻
晶闸管常用张弛振荡器作为触发电路，其张弛振荡器是指（）。A、阻容移相触发电路B、单结晶体管触发电路C、正弦波触发电路D、锯齿波的触发器
单结晶体管驰张振荡电路，电容上的电压波形是（）A、锯齿波B、正弦波C、矩形波D、尖脉冲
单结晶体管组成的弛张振荡电路，可输出（）脉冲电压，作晶闸管的触发脉冲。A、锯齿波B、正尖顶C、方波D、不能确定
压控振荡器是用控制电压改变（），从而导致振荡频率的改变。A、振荡管的UbeB、变容管的电容量C、振荡管的IcD、振荡电路的Q值
在电影放映电源中，单结晶体管的能发脉冲移相电路，是改变（），也就是改变锯齿波的振荡频率来控制可控硅导通角的大小，从而实现对激磁电流大小的控制。
在单结晶体管的电路中，电容上的电压象锯齿一样的变化，形成有规律的振荡，所以叫（）电路。A、起伏B、自起伏C、自振荡D、振荡
单结晶体管的振荡电路是利用单结晶体管发射特性中的（）。A、饱和区B、截止区C、负阻区D、触发区
改变单结晶体管触发电路的振荡频率一般采用（）。A、变尺B、变cC、变LD、变c和L
一般采用（）方法来改变单结晶体管触发脉冲电路的振荡频率。A、REEE变B、变CC、变L
一般采用（）方法来改变单结晶体管触发电路的振荡频率。A、改变RcB、改变CC、改变LD、同时改变Bc和C
单结晶体管触发电路输出触发脉冲中的幅值取决于（）。A、发射极电压UeB、电容CC、电阻rbD、分压比η
单结晶体管同步振荡触发电路中，改变Re能实现（）。A、移相B、同步C、增大脉冲宽度D、增大脉冲幅值
改变（）值，不会改变555构成的多谐振荡器电路的振荡频率。A、电源VCCB、电阻R1C、电阻R2D、电容C
单结晶体管触发电路是利用接在发射极的（）充放电原理制作。A、电阻B、电容C、阻容D、电感
单结晶体管触发电路中，单结晶体管发射极的电容容量变大，控制角（）。A、变小B、不变C、变大D、其它
压控振荡器的振荡频率随（）的变化而改变。A、电容B、电阻C、输入电压D、输入电流
单结晶体管触发电路输出的脉冲宽度主要决定于（）A、单结晶体管的特性B、电源电压的高低C、电容的放电时间常数D、电容的充电时间常数
一般通过改变（）来改变单结晶体管触发电路的震荡频率。A、ＲeB、CC、LD、U
单选题单结晶体管触发电路中，单结晶体管发射极的电容容量变大，控制角（）。A变小B不变C变大D其它
单选题在单结晶体管的电路中，电容上的电压象锯齿一样的变化，形成有规律的振荡，所以叫（）电路。A起伏B自起伏C自振荡D振荡
单选题改变（）值，不会改变555构成的多谐振荡器电路的振荡频率。A电源VCCB电阻R1C电阻R2D电容C
单选题单结晶体管触发电路是利用接在发射极的（）充放电原理制作。A电阻B电容C阻容D电感
填空题在电影放映电源中，单结晶体管的能发脉冲移相电路，是改变（），也就是改变锯齿波的振荡频率来控制可控硅导通角的大小，从而实现对激磁电流大小的控制。