单结晶体管有截止区、负阻区、饱和区三个区。() 此题为判断题(对，错)。
加在发射极上的电压高于峰点电压后,单结晶体管就导通。() 此题为判断题(对，错)。
当单结晶体管的发射极电压高于()电压时,就导通。 A.额定B.峰点C.谷点D.安全
10)单结晶体管当发射极与基极b1之间的电压超过峰点电压Up时，单结晶体管导通（ ）
下面是单结晶体管的特点说法正确的是（）。A、当发射极电压等于峰点电压UP时，单结晶体管导通，导通之后，当发射极电压减小到UEV时，管子由导通变为截止B、单结晶体管的发射极与第一基极的电阻RB1随发射极电流增大而变小，RB2则与发射极电流无关C、不同的单结晶体管有不同的UP和UVD、一般单结晶体管的谷点电压在5～10VE、单结晶体管体积小重量轻
单结晶体管电路，如发射极电压等于峰点电压UP时，单结晶体管导通，导通后，当发射极电压减小到小于UV时，管子由导通变为截至。（）
单结晶体管震荡电路是利用单结晶管发射极特性中的（）。A、富阻区B、截止区C、饱和区
单结晶体管的振荡电路是利用单结晶体管发射特性中的（）。A、饱和区B、截止区C、负阻区D、触发区
单结晶体管的发射极电压高于谷点电压时，晶体管就导通。
当单结晶体管的发射极电压高于（）电压时，就导通。A、额定B、峰点C、谷点D、安全
单结晶体管导通条件表述不正确的是（）。A、发射极电压大于峰点电压B、发射极电压小于峰点电压C、发射极电压小于谷点电压D、发射极电压大于谷点电压
电路是利用单结晶体管（）的工作特性设计的。A、截止区B、负阻区C、饱和区D、任意区域
单结晶体管的发射极电压高于（）电压时就导通。A、额定B、峰点C、谷点D、安全
单结晶体管的三个工作区域是（）。A、截止区B、负阻区C、饱和区D、集电区
单结晶体管由负阻转化为饱的转折点时的发射极电压成为（）电压。A、谷底B、谷点C、峰点D、峰顶
单结晶体管的发射极电压升到（）电压时，单结晶体管就导通。A、谷点B、峰点C、阴极D、阳极
单结晶体管的发射极电压高于（）时就会导通，低于（）时就截止。
当单结晶体管的发射极电压高于（）电压时就导通；低于（）电压时就截止。
单结晶体管导通条件是（）。A、发射极电压大于峰点电压；B、发射极电压小于峰点电压；C、发射极电压小于谷点电压；D、发射极电压大于谷点电压。
三极管有饱和导通与截止状态，只要（）就能达到导通状态。A、发射极电压B、控制基极电流C、截止时集电极反偏D、发射结正偏E、集电结正偏
当单结晶体管的发射极电压UE升高到（）时，就会导通。A、峰点电压UPB、谷点电压UVC、两基极间电压UBB
填空题当单结晶体管的发射极电压高于（）电压时就导通；低于（）电压时就截止。
单选题单结晶体管的发射极电压升到（）电压时，单结晶体管就导通。A谷点B峰点C阴极D阳极
填空题单结晶体管达到导通时的发射极电压叫（）电压，从负阻区到饱和区的最小发射极电压叫作（）电压。
填空题单结晶体管的发射极电压高于（）时就会导通，低于（）时就截止。
单选题单结晶体管由负阻转化为饱的转折点时的发射极电压成为（）电压。A谷底B谷点C峰点D峰顶