判断题影响去游离过程的因素与气体介质的压力有关:压力太大或压力太小,都不利于复合。A对B错

判断题
影响去游离过程的因素与气体介质的压力有关:压力太大或压力太小,都不利于复合。
A

B


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物理爆炸如压力容器破裂时,气体膨胀所释放的能量不仅与气体压力和容器的体积有关,而且与介质在容器内的物理性质有关。( )此题为判断题(对,错)。

在锅炉蒸汽压力的双位式控制系统中,若停炉或起炉压差过大,则原因是______。A.压力设定值太大B.压力设定值太小C.幅差值太大D.幅差值太小

影响去游离的因素有()A、介质特性B、热电子发射C、冷却电弧D、气体介质的压力E、触头材料F、阴极电压

影响混合系气体爆炸极限的因素很多,但()不会影响爆炸极限。A、初始温度B、系统压力C、惰性介质含量D、混合气体的毒性

在双位式压力控制系统中,若压力的上限值与下限值相差较大,则其原因是()A、压力设定值太大B、压力设定值太小C、幅差太大D、幅差太小

气缸()太小,引起排气温度过高,排气支管及总管发红。A、爆发压力B、压缩压力C、间隙太大D、间隙太小

锯切时折断锯条,可能的原因是()。A、锯齿太细B、锯切压力太小C、锯条太厚D、锯切压力太大

影响气体密度的因素是()。A、流速B、压力C、温度D、温度、压力

吹扫介质的选用原则是()。   A、吹扫介质与物料混合后不产生易燃或易爆气体B、吹扫后,介质或介质与物料的混合物便于处理,不致影响物料质量C、吹扫介质与物料接触后,不发生冷凝堵塞等现象D、吹扫介质压力不得大于设备管线所承受的压力

EDI如果膜组件的压力降较小,则原因为()A、流量太大B、流量太小C、压力过高D、压力太低

气开式控制阀开不到位,原因可能是()。A、气源压力太小导致B、气源压力太大导致C、阀门定位器输出压力太小导致D、阀门定位器输出压力太大导致

容器破裂时,气体膨胀所释放的能量与气体压力、容器容积、介质的物理性质有关。

容器破裂时,气体膨胀所释放的能量与气体压力、容器容积、介质的物态有关。

压力容器的腐蚀速度与腐蚀介质、压力、温度有关,腐蚀介质越多,压力、温度越高,腐蚀越快。

影响去游离过程的因素与触头间隙的介质种类有关:分子量大、化学性能稳定的介质易复合;分子量小、化学性能不稳定的介质不易复合。

影响去游离过程的因素与触头材料有关:触头材料的热容量大,导热系数大,不易产生热电子发射,使游离过程减弱,易复合。

影响去游离过程的因素与气体介质的压力有关:压力大至十几个大气压以上或接近真空有利于复合。

物理爆炸如压力容器破裂时,气体膨胀所释放的能量不仅与气体压力和容器的体积有关,而且与介质在容器内的物理性质有关。

在锅炉蒸汽压力的双位式控制系统中,若停炉或起炉压差过大,则原因是()A、压力设定值太大B、压力设定值太小C、幅差值太大D、幅差值太小

孔隙气压力是介质孔隙中气体(即气泡)压力,因液体表面张力影响,略大于孔隙水压力。()

气体的充装压力是()。A、气瓶充装过程中瓶内介质的压力B、气瓶充装过程允许承受的最高压C、基准温度时,所盛装气体的限定充装压力

影响去游离过程的因素与触头间电场的强弱有关,电场弱,复合过程强;电场强,复合过程弱。

判断题影响去游离过程的因素与气体介质的压力有关:压力大至十几个大气压以上或接近真空有利于复合。A对B错

判断题影响去游离过程的因素与触头间隙的介质种类有关:分子量大、化学性能稳定的介质不易复合;分子量小、化学性能不稳定的介质容易复合。A对B错

判断题影响去游离过程的因素与触头间电场的强弱有关,电场强,复合过程强;电场弱,复合过程弱。A对B错

单选题在双位式压力控制系统中,若控制精度太低,其原因是()。A压力设定值太大B压力设定值太小C幅差太大D幅差太小

多选题影响去游离的因素有()A介质特性B热电子发射C冷却电弧D气体介质的压力E触头材料F阴极电压