单选题根据构成能障的界面情况的不同，形核方式包括（）A螺旋位错生长B旋转孪晶生长C反射孪晶生长D均质形核

单选题
根据构成能障的界面情况的不同，形核方式包括（）
A

螺旋位错生长

B

旋转孪晶生长

C

反射孪晶生长

D

均质形核

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