光子探头器件采用（）致冷。A、半导体一级B、半导体二级C、半导体三级
在三型机中，盘温可代表（）。A、环温B、热靶温度C、探头内部温度D、光子器件温度
三型机光子探头采用（）器件。A、碲镉汞B、铂电阻C、热敏电阻D、密封
热敏探头指探头采用热敏电阻元件，热敏探头按放大电路的类型可分为热敏电阻直流探头、热敏电阻交流探头、（）。A、锑镉汞直流探头B、锑镉汞交流探头C、锑镉汞调制探头D、热敏电阻调制探头
（康拓）THDS-B系统制冷板是控制（）温度的电路板。A、热电阻B、铂电阻C、热靶D、碲镉汞光子器件
光子探头采用（）材料作为温度传感元件。A、锑镉汞B、锑镉铟C、锑镉铋D、贡镉铟
（康拓）THDS-A系统校零板实现对两个（）校零的电路板。A、光子探头B、热敏探头C、热靶D、碲镉汞光子器件
HTK型光子探头的主要光子器件采用HgCdTe（锑镉汞）核心元件，采用密闭充氮三级半导体制冷，工作环境低于环温（）。A、60℃B、70℃C、80℃D、90℃
（康拓）THDS-A系统光子探头器件温度正常值范围是（环温-50）±15℃。
THDS-A探测系统中直流探头中测温元件为（）A、双浸没热敏电阻B、碲镉汞光子器件C、铂电阻D、普通电阻
有关THDS-A轴温探测系统是通过控制光子探头内制冷器件的（）来达到控制制冷器件温度的目的。A、电阻B、电容C、电压D、电流
THDS-BS系统如果报器件温度故障，现象是器温150℃，更换左右侧光子探头故障移动，则需要（）。A、更换制冷板B、更换光子探头C、更换AD采集卡D、更换内探测温板
THDS-C探测站，光子探头的红外器件的工作特性是（）。A、真空充氮密封B、采用双浸热敏元件C、三级半导体制冷D、二级半导制冷E、一级半导制冷
THDS-BS系统如果报器件温度故障，现象是器温150℃，更换左右侧光子探头故障不移动，用万用表测量制冷板器件温度电压为+10V，则需要（）。A、更换制冷板B、更换光子探头C、更换AD采集卡D、更换内探测温板
THDS-A红外轴温探测系统校零板实现对两个（）校零的电路板。A、光子探头B、热敏探头C、热靶D、碲镉汞光子器件
轴温探头是轴温探测的核心部件，按测温元件不同可以划分为（）A、热敏探头B、光子探头C、调制探头D、直流探头E、测温探头
（康拓）THDS-A系统中调制探头中测温元件为碲镉汞光子器件。
单选题THDS-A探测系统中直流探头中测温元件为（）A双浸没热敏电阻B碲镉汞光子器件C铂电阻D普通电阻
单选题THDS-A红外轴温探测系统校零板实现对两个（）校零的电路板。A光子探头B热敏探头C热靶D碲镉汞光子器件
单选题（康拓）THDS-A系统校零板实现对两个（）校零的电路板。A光子探头B热敏探头C热靶D碲镉汞光子器件
判断题（康拓）THDS-A系统中调制探头中测温元件为碲镉汞光子器件。A对B错
多选题THDS-C探测站，光子探头的红外器件的工作特性是（）。A真空充氮密封B采用双浸热敏元件C三级半导体制冷D二级半导制冷E一级半导制冷
单选题光子探头采用（）材料作为温度传感元件。A锑镉汞B锑镉铟C锑镉铋D贡镉铟
单选题热敏探头指探头采用热敏电阻元件，热敏探头按放大电路的类型可分为热敏电阻直流探头、热敏电阻交流探头、（）。A锑镉汞直流探头B锑镉汞交流探头C锑镉汞调制探头D热敏电阻调制探头
单选题有关THDS-A轴温探测系统是通过控制光子探头内制冷器件的（）来达到控制制冷器件温度的目的。A电阻B电容C电压D电流