HTK型光子探头的主要光子器件采用HgCdTe（锑镉汞）核心元件，采用密闭充氮三级半导体制冷，工作环境低于环温（）。A、60℃B、70℃C、80℃D、90℃

HTK型光子探头的主要光子器件采用HgCdTe（锑镉汞）核心元件，采用密闭充氮三级半导体制冷，工作环境低于环温（）。

  • A、60℃
  • B、70℃
  • C、80℃
  • D、90℃

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三型机的器件温度异常与（）无关。A、光子探头B、测温板C、温控板D、19芯电缆
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三型机光子探头采用（）器件。A、碲镉汞B、铂电阻C、热敏电阻D、密封
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热敏探头指探头采用热敏电阻元件，热敏探头按放大电路的类型可分为热敏电阻直流探头、热敏电阻交流探头、（）。A、锑镉汞直流探头B、锑镉汞交流探头C、锑镉汞调制探头D、热敏电阻调制探头
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THDS-A红外轴温探测系统温控板是控制（）温度的电路板。A、热电阻B、铂电阻C、碲镉汞光子器件D、热靶
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（康拓）THDS-B系统制冷板是控制（）温度的电路板。A、热电阻B、铂电阻C、热靶D、碲镉汞光子器件
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光子探头采用（）材料作为温度传感元件。A、锑镉汞B、锑镉铟C、锑镉铋D、贡镉铟
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（康拓）THDS-A系统校零板实现对两个（）校零的电路板。A、光子探头B、热敏探头C、热靶D、碲镉汞光子器件
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THDS-A探测系统中探头按测温元件不同划分为（）A、热敏探头和光子探头B、调制探头和光子探头C、热敏探头和直流探头D、调制探头和直流探头
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THDS-A探测系统中直流探头中测温元件为（）A、双浸没热敏电阻B、碲镉汞光子器件C、铂电阻D、普通电阻
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光子探头采用（）材料作温度传感元件。
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THDS-A（哈科所）系统，光子探头元件温度异常可能与光子探头有关。
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HTK型光子探头热靶由印刷电路板、铂电阻、均热板、（）、热辐射涂料组成，其作用是跟踪探头的特性变化，转换光子探头的输出温度。A、电热丝B、AD590C、热电阻D、加热镆
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（康拓）THDS-A系统温控板的作用是（）。A、控制光子探头的光子器件温度，输出控制器件温度的电流B、控制热敏探头的光子器件温度，输出控制器件温度的电流C、控制热敏探头的挡板温度，输出控制器件温度的电流D、控制热靶温度，输出控制器件温度的电流
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轴温探头是轴温探测的核心部件，按测温元件不同可以划分为（）A、热敏探头B、光子探头C、调制探头D、直流探头E、测温探头
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（康拓）THDS-A系统中调制探头中测温元件为碲镉汞光子器件。
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单选题THDS-A探测系统中直流探头中测温元件为（）A双浸没热敏电阻B碲镉汞光子器件C铂电阻D普通电阻
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单选题THDS-A红外轴温探测系统校零板实现对两个（）校零的电路板。A光子探头B热敏探头C热靶D碲镉汞光子器件
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单选题（康拓）THDS-A系统校零板实现对两个（）校零的电路板。A光子探头B热敏探头C热靶D碲镉汞光子器件
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判断题（康拓）THDS-A系统中调制探头中测温元件为碲镉汞光子器件。A对B错
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单选题光子探头采用（）材料作为温度传感元件。A锑镉汞B锑镉铟C锑镉铋D贡镉铟
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判断题THDS-A（哈科所）系统，光子探头元件温度异常可能与光子探头有关。A对B错
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单选题热敏探头指探头采用热敏电阻元件，热敏探头按放大电路的类型可分为热敏电阻直流探头、热敏电阻交流探头、（）。A锑镉汞直流探头B锑镉汞交流探头C锑镉汞调制探头D热敏电阻调制探头
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填空题光子探头采用（）材料作温度传感元件。
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单选题HTK型光子探头热靶由印刷电路板、铂电阻、均热板、（）、热辐射涂料组成，其作用是跟踪探头的特性变化，转换光子探头的输出温度。A电热丝BAD590C热电阻D加热镆
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单选题（康拓）THDS-A系统温控板的作用是（）。A控制光子探头的光子器件温度，输出控制器件温度的电流B控制热敏探头的光子器件温度，输出控制器件温度的电流C控制热敏探头的挡板温度，输出控制器件温度的电流D控制热靶温度，输出控制器件温度的电流
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单选题THDS-A红外轴温探测系统温控板的作用是（）A控制光子探头的光子器件温度，输出控制器件温度的电流B控制热敏探头的光子器件温度，输出控制器件温度的电流C控制热敏探头的挡板温度，输出控制器件温度的电流D控制热靶温度，输出控制器件温度的电流
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单选题HTK型光子探头的主要光子器件采用HgCdTe（锑镉汞）核心元件，采用密闭充氮三级半导体制冷，工作环境低于环温（）。A60℃B70℃C80℃D90℃
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