一个理想的MOS电容器，p型Si衬底的掺杂浓度为NA=1.5×10^15cm^-3 。当氧化层厚度为0.1微米时，阈值电压为1.1V，则当氧化层厚度为0.2微米时的阈值电压为 V
一个理想的MOS电容器，p型Si衬底的掺杂浓度为NA=1.5×10^15cm^-3 。当氧化层厚度为0.1微米时，阈值电压为1.1V，则当氧化层厚度为0.2微米时的阈值电压为 V
参考答案和解析
错误
相关考题：
当滤器的绝对过滤精度为10微米时，表明该滤器后________。A.不含10微米以上污染颗粒B.10微米以上污染颗粒浓度不到滤器前的1/20C.10微米以上污染颗粒浓度不到滤器前的1/75D.10微米以上污染颗粒浓度不到滤器前的1/100
在光谱分析中，摩尔吸光系数是指A、溶液浓度为lμg/L，液层厚度为1mm时的吸光系数B、溶液浓度为1mg/L，液层厚度为1cm时的吸光系数C、溶液浓度为1mol/L，液层厚度为1cm时的吸光系数D、溶液浓度为1mol/L，液层厚度为1mm时的吸光系数E、溶液浓度为1g/L，液层厚度为1cm时的吸光系数
对摩尔吸光系数（ε）的意义描述正确的是在特定波长下A、当液层厚度为1cm，物质浓度为1mol/L时在特定波长下的吸光度值B、当液层厚度为1cm，物质浓度为0.5mol/L时在特定波长下的吸光度值C、当液层厚度为0.5cm，物质浓度为0.5mol/L时在特定波长下的吸光度值D、当液层厚度为0.5cm，物质浓度为1mol/L时在特定波长下的吸光度值E、当液层厚度一定时，物质浓度为1mol/L时在特定波长下的吸光度值
当滤器的绝对过滤精度为10微米时,表明该滤器后() A.不含10微米以上污染颗粒B.10微米以上污染颗粒浓度不到滤器前的1/20C.10微米以上污染颗粒浓度不到滤器前的1/75D.10微米以上污染颗粒浓度不到滤器的1/100
对摩尔吸光系数(e)的意义描述正确的是在特定波长下A.当液层厚度为lcm，物质浓度为lmol/L时在特定波长下的吸光度值B.当液层厚度为lcm，物质浓度为0.5mol/L时在特定波长下的吸光度值C.当液层厚度为0.5cm，物质浓度为0.5mol/L时在特定波长下的吸光度值D.当液层厚度为0.5cm，物质浓度为lmol/L时在特定波长下的吸光度值E.当液层厚度一定时，物质浓度为lmol/L时在特定波长下的吸光度值
在分光光度法中，当波长一定，试样组成一定时，则下面说法正确的是（）。A、当液层厚度增大一倍，浓度减少一倍时，则吸光度增大一倍B、当液层厚度和浓度任意变化时，其吸光系数保持不变C、当液层厚度减少一倍，浓度增加一倍时，则吸光度减少一倍D、当参比液的吸光度为一正值时，则所测试液净吸度将减少
单选题按照衬底材料不同，硅光电二极管分为2CU和2DU两种系列。它们主要有两个不同点：请选择正确的答案（）A2CU是以N-Si为衬底，2DU是以P-Si为衬底；2CU型管还设了一个环极；B2CU是以P-Si为衬底，2DU是以N-Si为衬底，2CU型管还设了一个环极；C2CU是以N-Si为衬底，2DU是以P-Si为衬底，2DU型管还设了一个环极；D2CU是以P-Si为衬底，2DU是以N-Si为衬底，2DU型管还设了一个环极。
填空题为了避免短沟道效应，可采用按比例缩小法则，当MOSFET的沟道长度缩短一半时，其沟道宽度应（），栅氧化层厚度应（），源、漏区结深应（），衬底掺杂浓度应（）。