降低烧结温度的方法有_________________。A.加热的同时进行加压B.增加原料颗粒尺寸C.采用真空气氛烧结D.采用价格低的燃料

降低烧结温度的方法有_________________。

A.加热的同时进行加压

B.增加原料颗粒尺寸

C.采用真空气氛烧结

D.采用价格低的燃料


参考答案和解析
C

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上釉的烧结温度是( )。A.低于体瓷烧结温度5℃B.低于体瓷烧结温度10℃C.高于体瓷烧结温度5℃D.高于体瓷烧结温度10℃E.以上均不正确

PFM冠上釉时的炉温是A、与体瓷的烧结温度相同B、低于体瓷烧结温度6~8℃C、低于体瓷烧结温度10~20℃D、高于体瓷烧结温度6~8℃E、高于体瓷烧结温度10~20℃

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金属基底冠除气的方法是A.低于烤瓷烧结温度10℃的条件下保持3minB.低于烤瓷烧结温度20℃的条件下保持3minC.高于烤瓷烧结温度4℃的条件下保持3minD.高于烤瓷烧结温度10℃的条件下保持3minE.高于烤瓷烧结温度20℃的条件下保持3min

关于烤瓷冠瓷层透明度描述正确的为A、与烧结的次数无关B、烧结温度偏高较好C、随着烧结次数的增加而提高D、随着烧结次数的增加而降低E、烧结温度偏低较好

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上釉的烧结温度是()。A、低于体瓷烧结温度5℃B、低于体瓷烧结温度10℃C、高于体瓷烧结温度5℃D、高于体瓷烧结温度10℃E、以上均不正确

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简述烧结、烧成、烧成温度、烧成温度、液相烧结和固相烧结的定义。

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问答题简述烧结温度比常规粉体显著降低的原因。

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单选题PFM冠上釉时的炉温是(  )。A与体瓷的烧结温度相同B低于体瓷烧结温度6~8℃C低于体瓷烧结温度10~20°CD高于体瓷烧结温度6~8℃E高于体瓷烧结温度10~20℃