在UO2+x晶体中，当氧分压不变时，温度增加，缺陷浓度 ，晶体密度 。A．增加，增加B．增加，降低C．降低，降低D．降低，增加

在UO2+x晶体中，当氧分压不变时，温度增加，缺陷浓度 ，晶体密度 。

A．增加，增加

B．增加，降低

C．降低，降低

D．降低，增加

参考答案和解析
增加

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杂质半导体中的多数载流子浓度取决于() A、掺杂浓度B、工艺C、温度D、晶体缺陷
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当血糖浓度高于肾糖阈时，尿量增加是由于（ ）。A．血浆晶体渗透压升高B．肾小管内晶体渗透压升高C．肾小管内晶体渗透压降低D．集合管对水的通透性增加E．肾小管液中溶质浓度增加
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随温度升高，晶体管的β值（）A、增加B、减小C、不变
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如下说法哪个是正确的（）A、形成点缺陷所引起的熵的变化使晶体能量增加B、晶体总是倾向于降低点缺陷的浓度C、当点缺陷浓度达到平衡值时，晶体自由能最低
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UO2+x在氧化气氛中可形成（）型非计量化合物，可形成（）型半导体，缺陷浓度与氧分压的1/6次方成（），如果减少周围氧气的分压，UO2+x的密度将（）
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晶体的热缺陷有（）两类，热缺陷浓度与温度的关系式为（）
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简述温度、固溶体类型、晶体结构、晶体学各向异性、浓度、晶体缺陷、第三元对扩散系数的影响及其原因。
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关于溶质饱和度，下列说法正确的是（）A、在某一温度下，饱和度是恒定的B、当溶质浓度超过饱和度时，立即析出晶体C、在相同条件下，溶质晶体的半径越小，饱和浓度越大D、饱和度随温度升高而显著增大
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晶体管参数受温度影响较大，当温度升高时，晶体管的β，ICBO，uBE的变化情况为（）A、β增加，ICBO，和 uBE减小B、β和ICBO增加，uBE减小C、β和uBE减小，ICBO增增加D、β、ICBO和uBE都增加
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在杂质半导体中，少数载流子的浓度与（）有很大关系。A、温度B、掺杂工艺C、杂质浓度D、晶体管缺陷
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晶体管参数受温度影响较大，当温度升高时，晶体管的β，ICBO，uBE的变化情况为（）。A、β增加，ICBO和 uBE减小B、β和ICBO增加，uBE减小C、β和uBE减小，ICBO增加D、β、ICBO和uBE都增加
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在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）A、温度B、掺杂工艺C、杂质浓度D、晶体管缺陷
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温度增加时，在ID不变的情况下，晶体二极管的VVD（on）将（）A、增大B、减小C、不变D、未知
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在晶体中存在杂质时对扩散有重要的影响，主要是通过（），使得扩散系数增大。A、增加缺陷浓度B、使晶格发生畸变C、降低缺陷浓度D、A和B
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在杂质半导体中，多数载流子的浓度取决于（）。A、晶体缺陷B、温度C、杂质浓度D、掺杂工艺
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单选题在晶体中存在杂质时对扩散有重要的影响，主要是通过（），使得扩散系数增大。A增加缺陷浓度B使晶格发生畸变C降低缺陷浓度DA和B
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填空题晶体产生Frankel缺陷时，晶体体积（），晶体密度（）；而有Schtty缺陷时，晶体体积（），晶体密度（）。一般说离子晶体中正、负离子半径相差不大时，（）是主要的；两种离子半径相差大时，（）是主要的。
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填空题晶体的热缺陷有（）两类，热缺陷浓度与温度的关系式为（）
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单选题当晶体的温度高于绝对0K时，由于晶体内原子热震动，使一部分能量较大的原子离开平衡位置造成的缺陷称为（）A杂质缺陷B热缺陷C点缺陷D面缺陷
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单选题晶体中的热缺陷的浓度随温度的升高而（）。A增加B不变C降低
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单选题晶体中的热缺陷的浓度随温度的升高而增加，其变化规律是（）。A线性增加B呈指数规律增加C无规律D线性减少
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单选题如下说法哪个是正确的（）A形成点缺陷所引起的熵的变化使晶体能量增加B晶体总是倾向于降低点缺陷的浓度C当点缺陷浓度达到平衡值时，晶体自由能最低
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单选题关于溶质饱和度，下列说法正确的是（）A在某一温度下，饱和度是恒定的B当溶质浓度超过饱和度时，立即析出晶体C在相同条件下，溶质晶体的半径越小，饱和浓度越大D饱和度随温度升高而显著增大
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