填空题UO2+x在氧化气氛中可形成()型非计量化合物,可形成()型半导体,缺陷浓度与氧分压的1/6次方成(),如果减少周围氧气的分压,UO2+x的密度将()
填空题
UO2+x在氧化气氛中可形成()型非计量化合物,可形成()型半导体,缺陷浓度与氧分压的1/6次方成(),如果减少周围氧气的分压,UO2+x的密度将()
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关于N型半导体的下列说法,错误的是:()A、自由电了是多数载流子B、在二极管中由N型半导体引出的线是二极管的阴极C、在纯净的硅晶体中三价元素硼,可形成N型半导体D、在PNP型晶体管中,基区是N型半导体
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