复合管的类型与组成复合管的()的类型相同。 A、第2只三极管B、第一只三极管C、无法确定
只有当两个晶体管的类型相同(都为NPN管或都为PNP管)时才能组成复合管。() 此题为判断题(对，错)。
两个β相同的晶体管组成复合管后,其电流放大系数约为()。 A、βB、β2C、2βD、1+β
测得晶体管三个电极对地的电压分别为－2V、－8V、－ 2.2V,则该管为()。 A.NPN型锗管B.PNP型锗管C.PNP型硅管D.NPN型硅管
TTL电路是晶体管£晶体管逻辑电路,它由NPN或PNP型晶体管组成,CMOS电路是互补型金属氧化物半导体电路,由绝缘栅场效应管组成。() 此题为判断题(对，错)。
用万用表直流电压挡测得晶体管三个管脚的对地电压分别是V1＝2V，V2＝6V，V3＝2.7V，由此可判断该晶体管的管型和管脚依次为（）A、PNP管，CBEB、NPN管，ECBC、NPN管，CBED、PNP管，EBC
单结晶体管是由（）组成的。A、NPN管B、PNP管C、一个PN结D、两个基极
晶体管是由半导体形成的，有（）和（）两种。A、PNP、PNPB、NPN、NPNC、PNP、NPND、PNN、NPP
在OTL功率放大器中，两晶体三极管特性和参数相同并且一定是（）。A、NPN管与NPN管B、PNP管与PNP管C、NPN管与PNP管D、NPN管或PNP管
单极型集成电路不包含（）.A、普通晶体管（NPN管或PNP管）B、P沟道MOS管C、N沟道MOS管D、互补型MOS（即CMOS）
TTL电路是晶体管-晶体管逻辑电路，它由NPN或PNP型晶体管组成，CMOS电路是互补型金属氧化物半导体电路，由绝缘栅场效应管组成。
乙类互补对称功放由NPN和PNP两种类型晶体管构成，其主要优点是（）。
根据国产半导体器件命名方法可知，3DG6为（）A、NPN型低频小功率硅晶体管B、NPN型高频小功率硅晶体管C、PNP型低频小功率锗晶体管D、NPN型低频大功率硅晶体管
晶体管符号中，箭头朝内者，表示它是（）。A、硅管；B、锗管；C、NPN管；D、PNP管。
利用两只NPN型管构成的复合管只能等效为NPN型管。
在放大电路中的晶体管，其电位最高的一个电极是（）。A、PNP管的集电极B、PNP管的发射极C、NPN管的发射极D、NPN管的基极
对于由两个晶体管组成的复合管，以下成立的有（）A、总的放大倍数为两管放大倍数的乘积B、复合管的类型和前面管子的类型相同C、复合管的类型和后面管子的类型相同
已知放大电路中某晶体管三个极的电位分别为VE=-1.7V，VB=-1.4V，VC=5V，则该管类型为（）A、NPN型锗管B、PNP型锗管C、NPN型硅管D、PNP型硅管
已知放大电路中某晶体管三个极的电位分别为6V、5.3V、0V，则该管为（）A、PNP型锗管B、NPN型锗管C、PNP型硅管D、NPN型硅管
根据国产半导体器件型号的命名方法可知，3DG6为（）。A、NPN型低频小功率硅晶体管B、NPN型高频小功率硅晶体管C、PNP型低频小功率锗晶体管D、NPN型低频大功率硅晶体管
复合管的类型（NPN或PNP）与组成它的最前面的管子类型相同。
根据某只晶体管的各极对地电压分别是VB=-6.3v，VE=-7v，VC=-4v，可以判定此晶体管是（）管，处于（）。A、NPN管，饱和区B、PNP管，放大区C、PNP管，截止区D、NPN管，放大区
测得晶体管三个电极对地的电压分别为-2V、-8V、-2.2V，则该管不是（）A、NPN型锗管B、PNP型锗管C、PNP型硅管D、NPN型硅管
晶体管符号上的箭头朝外，则表示为（）。A、NPN型晶体管；B、PNP型晶体管；C、硅管；D、锗管。
关于晶体管反向漏电流，以下说法正确是（）。A、相同功率的锗管反向漏电流大于硅管B、NPN管反向漏电流小于PNP管C、电压越高越大D、NPN管反向漏电流大于PNP管
判断题利用两只NPN型管构成的复合管只能等效为NPN型管。A对B错