与甲类功率放大方式相比,乙类互补对称功放的主要优点是无交越失真。() 此题为判断题(对，错)。
NPN型和PNP型晶体管的区别是()。 A、由两种不同的材料硅和锗制成B、掺入的杂质不同C、P区和N区的位置不同D、电流放大倍数不同
TTL电路是晶体管£晶体管逻辑电路,它由NPN或PNP型晶体管组成,CMOS电路是互补型金属氧化物半导体电路,由绝缘栅场效应管组成。() 此题为判断题(对，错)。
下列功率放大电路中，效率最高的是（）A、甲类功放B、乙类互补功放C、甲乙类互补功放D、准互补功放E、不知道
与甲类功率放大方式相比，乙类互补对称功放的主要优点是（）。A、无输出变压器B、无输出大电容C、效率高D、无交越失真
单结晶体管是由（）组成的。A、NPN管B、PNP管C、一个PN结D、两个基极
晶体管是由半导体形成的，有（）和（）两种。A、PNP、PNPB、NPN、NPNC、PNP、NPND、PNN、NPP
单极型集成电路不包含（）.A、普通晶体管（NPN管或PNP管）B、P沟道MOS管C、N沟道MOS管D、互补型MOS（即CMOS）
TTL电路是晶体管-晶体管逻辑电路，它由NPN或PNP型晶体管组成，CMOS电路是互补型金属氧化物半导体电路，由绝缘栅场效应管组成。
三板管按内部结构分为NPN和PNP两种类型，没有其他类型
测得放大电路中某晶体管三个电极对地的电位分别为6V、5、3V和-6V，则该三极管的类型为（）。A、硅PNP型B、硅NPN型C、锗PNP型D、锗NPN型
与甲类功率放大方式比较，乙类OCL互补对称功放的主要优点是（）A、不用输出变压器B、不用输出端大电容C、效率高D、无交越失真
根据国产半导体器件命名方法可知，3DG6为（）A、NPN型低频小功率硅晶体管B、NPN型高频小功率硅晶体管C、PNP型低频小功率锗晶体管D、NPN型低频大功率硅晶体管
乙类互补对称功放由（）与（）两和类型晶体管构成，其主要优点是（）。
在放大电路中的晶体管，其电位最高的一个电极是（）。A、PNP管的集电极B、PNP管的发射极C、NPN管的发射极D、NPN管的基极
乙类互补功放存在（）失真，可以利用（）类互补功放来克服。
PNP型或NPN型晶体管，其发射区和集电区均为同类型半导体（N型或P型）。所以在实际使用中发射极与集电极（）。A、可以调换使用B、不可以调换使用C、PNP型可以调换使用，NPN型则不可以调换使用
已知放大电路中某晶体管三个极的电位分别为VE=-1.7V，VB=-1.4V，VC=5V，则该管类型为（）A、NPN型锗管B、PNP型锗管C、NPN型硅管D、PNP型硅管
NPN型和PNP型晶体管的区别是（）A、由两种不同材料硅和锗制成的B、渗入的杂质元素不同C、P区和N区的位置不同
与乙类功率放大方式比较，甲乙类OCL互补对称功放的主要优点是（）A、不用输出变压器B、不用输出端大电容C、效率高D、无交越失真
乙类双电源互补对称功放电路的效率可达（）。A、25%B、78.5%C、50%D、90%
与甲类功率放大方式相比，乙类互补对称功放的主要优点是（）A、不用输出变压器B、不用输出端大电容C、效率高D、无交越失真
单选题测得放大电路中某晶体管三个电极对地的电位分别为6V、5.3V和-6V，则该三极管的类型为（）。A硅PNP型B硅NPN型C锗PNP型D锗NPN型