TTL电路是晶体管£晶体管逻辑电路,它由NPN或PNP型晶体管组成,CMOS电路是互补型金属氧化物半导体电路,由绝缘栅场效应管组成。() 此题为判断题(对，错)。
晶体管式安全栅是由三极管为主的晶体管电路组成的限压限流保护装置。（）
CMOS电路是指（）。A、场效应管晶体管组成的电路B、P和N型场效应管互补组成的电路C、P型场效应管组成的电路D、N型场效应管组成的电路
双极性集成电路是指由（）和（）型晶体管组成的集成电路。
晶体管是由半导体形成的，有（）和（）两种。A、PNP、PNPB、NPN、NPNC、PNP、NPND、PNN、NPP
TTL电路为（）。A、晶体管--晶体管逻辑电路B、反相器C、除法器
单极型集成电路不包含（）.A、普通晶体管（NPN管或PNP管）B、P沟道MOS管C、N沟道MOS管D、互补型MOS（即CMOS）
由（）组成的集成电路简称CMOS电路。A、金属B、氧化物C、半导体场效应管D、磁性物
TTL集成电路的全称是晶体管—晶体管逻辑集成电路。
下列说法错误的是（）A、双极型数字集成门电路是以场效应管为基本器件构成的集成电路B、TTL逻辑门电路是以晶体管为基本器件构成的集成电路C、CMOS集成门电路集成度高，但功耗较高D、TTL集成门电路集成度高，但功耗较低E、TTL集成门电路集成度高，但功耗较高
晶体管延时电路可采用单结晶体管延时电路、不对称双稳态电路的延时电路及MOS型场效应管延时电路三种来实现。
晶体管功率继电器BG4、BG5型的电气原理框图由（）组成。A、输入部分、相敏电路、晶体管执行电路B、输入电路和执行电路C、电子管执行电路和相敏电路D、电子管输入电路和电子管输出电路
TTL集成电路，（）。A、采用的是金属-半导体-MOS场效应管逻辑B、采用的是晶体管-晶体管逻辑C、电源一般为+5VD、电源一般为-5VE、电源一般为+9V
NPN型晶体管和PNP型晶体管的电路符号仅在于发射极箭头方向不同，这个箭头是代表发射结在正向连接时的（）方向。A、电量B、电流C、电压D、功率
TTL集成门电路是指（）。A、二极管---三极管集成门电路B、晶体管---晶体管集成门电路C、N沟道场效应管集成门电路D、P沟道场效应管集成门电路
（）具有不同的低频小信号电路模型。A、NPN型管和PNP型管B、增强型场效应管和耗尽型场效应管C、N沟道场效应管和P沟道场效应管D、晶体管和场效应管
根据国产半导体器件命名方法可知，3DG6为（）A、NPN型低频小功率硅晶体管B、NPN型高频小功率硅晶体管C、PNP型低频小功率锗晶体管D、NPN型低频大功率硅晶体管
IGBT是开关电源中的一种常用功率开关管，它的全称是（）。A、绝缘栅场效应管B、结型场效应管C、绝缘栅双极晶体管D、双极型功率晶体管
固体半导体摄像元件CCD是一种（）A、PN结光电二极管电路B、PNP型晶体管集成电路C、MOS型晶体管开关集成电路D、NPN型晶体管集成电路
根据国产半导体器件型号的命名方法可知，3DG6为（）。A、NPN型低频小功率硅晶体管B、NPN型高频小功率硅晶体管C、PNP型低频小功率锗晶体管D、NPN型低频大功率硅晶体管
试说明绝缘栅双极型晶体管驱动电路与大功率晶体管及功率场效应晶体管驱动电路的异同点。
下列说法错误的是（）。 A、双极型数字集成门电路是以场效应管为基本器件构成的集成电路B、TTL逻辑门电路是以晶体管为基本器件构成的集成电路C、CMOS集成门电路集成度高，但功耗较高D、CMOS集成门电路集成度高，但功耗较低E、TTL集成门电路集成度高，但功耗较低
逆变电路输出频率较高时，电路中的开关元件应采用电力场效应管和绝缘栅双极晶体管。
单选题固体半导体摄像元件CCD是一种（）APN结光电二极管电路BPNP型晶体管集成电路CMOS型晶体管开关集成电路DNPN型晶体管集成电路
判断题晶体管式安全栅是由三极管为主的晶体管电路组成的限压限流保护装置。（）A对B错
问答题试说明绝缘栅双极型晶体管驱动电路与大功率晶体管及功率场效应晶体管驱动电路的异同点。