2、在平衡的PN结两端外加反偏电压，会（）。A．使空间电荷区变厚B．抑制漂移，促进扩散C．使反向饱和电流增大D．使反向饱和电流减小E．使势垒变高F．只要不被击穿，反向电流会随着反向电压的增大达到饱和值而基本维持不变G．抑制扩散，促进漂移

2、在平衡的PN结两端外加反偏电压，会（）。

A．使空间电荷区变厚

B．抑制漂移，促进扩散

C．使反向饱和电流增大

D．使反向饱和电流减小

E．使势垒变高

F．只要不被击穿，反向电流会随着反向电压的增大达到饱和值而基本维持不变

G．抑制扩散，促进漂移

参考答案和解析
空间电荷区会变厚;会使势垒变高;只要不被击穿，反向电流会随着反向电压的增大达到饱和值而基本维持不变;抑制扩散，促进漂移

相关考题：

如在PN结的两端外加不同方向的电压,就厅破坏原来的平衡,呈现出单向导电性。() 此题为判断题(对，错)。
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当扩散运动与漂移运动达到动态平衡时，即形成了___。当外加电压与内电场的方向相反时，它呈___状态，当外加电压与内电场的方向相同时，它将呈___状态，即___具有单向导电性。A、PN结；导通，截止；PN结B、晶体管；截止，导通；PN结C、晶体管；导通，截止；晶体管D、PN结；截止，导通；晶体管E、晶体管；截止，导通；晶体管
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PN结具有单向导电性，可通过在PN结两端加正向或反向电压来证实。（）
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如果在PN结的两端加一个电压，其方向是（），这个外加电压称为正向电压。
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给PN结加反向电压（反偏）时，耗尽层将（）A、变窄B、变宽C、不变
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半导体中PN结的最主要特征是（），即外加正向电压时，呈（），外加反向电压时，呈（）。
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PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
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三极管工作在放大状态时，PN结的偏置状态是（）。A、发射结、集电结皆正偏B、发射结、集电结皆反偏C、发射结正偏，集电结反偏D、发射结反偏，集电结正偏
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结型场效应管外加的栅源电压应使栅源间的PN结反偏。
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如果在PN结两端加上不同极性的电压，PN结会呈现出不同的导电性能。
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PN结正偏时（），反偏时（），所以PN结具有（）导电性。
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外加反向电压，PN结中的耗尽层宽度将变宽。
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PN结在外加反方向电压的作用下，耗尽层（），流过PN结的电流（）。
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把PN结外加正向电压时导通、外加反向电压时截止的特性叫做（）特性。
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PN结外加正向电压时其空间电荷区宽度将（），PN结中（）电流占优势。
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当PN结外加正向电压时，扩散电流（）漂移电流，耗尽层变窄，当PN结外加反向电压时，扩散电流小于漂移电流，耗尽层变宽。A、大于B、小于C、等于D、变宽
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当PN结外加正向电压时，PN结内多子（）形成较大的正向电流。
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和开路PN结的结区宽度相比较，当PN结加正偏电压时，其结区宽度将变（）；当PN结加反偏电压时，其结区宽度将变（）
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晶体三极管工作在饱和状态时，其两个PN结的偏置状态是（）A、发射结正偏，集电结正偏B、发射结正偏，集电结反偏C、发射结反偏，集电结正偏D、发射结反偏，集电结反偏
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使PN结正偏的方法是：将P区接（）电位，N区接（）电位。正偏时PN结处于（）状态，反偏时PN结处于（）状态。
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两个PN结均为正偏时，晶体管工作在饱和状态；两个PN结均为反偏时，晶体管工作在截止状态。
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填空题PN结的单向导电性，就是PN结正偏时（），反偏时（）。
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填空题当对PN结外加正向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度（）；当对PN结外加反向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度（）。
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填空题势垒电容反映的是PN结的（）电荷随外加电压的变化率。PN结的掺杂浓度越高，则势垒电容就越（）；外加反向电压越高，则势垒电容就越（）。
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填空题当对PN结外加正向电压时，其势垒区宽度会（），势垒区的势垒高度会（）。
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填空题PN结光电器件，反偏时光电流与反偏电压（）。
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填空题PN结正偏时（），反偏时（），所以PN结具有（）导电性。
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填空题要使发光二极管正常发光，需对其PN结两端施以（）外加电压。
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