vGS=0时,不能工作在放大区的场效应管是( )。 A.结型管B耗尽型MOS管C增强型MOS管
场效应管的工作原理是() A、栅源电压控制漏极电流B、栅源电压控制漏极电压C、栅极电流控制漏极电流D、栅极电流控制漏极电压
增强型PMOS管的开启电压()。A、大于零B、小于零C、等于零D、或大于零或小于零
增强型绝缘栅场效应管,当栅极g与源极s之间电压为零时()。 A、不能形成导电沟道B、漏极电压为零C、能够形成导电沟道D、漏极电流不为零
结型场效应管的类型有()。 A.N沟道结型场效应管B.P沟道结型场效应管C.N沟道增强型MOS管D.P沟道增强型MOS管E.N沟道耗尽型MOS管F.P沟道耗尽型MOS管
增强型场效应管,工作时需要在栅源之间加正向电压() 此题为判断题(对，错)。
增强型MOS管放大电路，为何不可采用自给栅偏压的结构形式？
N沟道增强型绝缘栅场效应管，栅源电压VGS是指（）A、正极性B、负极性C、零D、不能确定
电子管栅负压是加在栅阴极之间的工作电压，有控制屏流的作用。
结型场效应管的类型有（）。A、N沟道结型场效应管B、P沟道结型场效应管C、N沟道增强型MOS管D、P沟道增强型MOS管E、N沟道耗尽型MOS管F、P沟道耗尽型MOS管
场效应管的类型有（）。A、结型场效应管B、绝缘栅型场效应管C、N沟道增强型MOS管D、P沟道增强型MOS管E、N沟道耗尽型MOS管F、P沟道耗尽型MOS管
UGS＝0V时，不能够工作在恒流区的场效应管有（）。A、N沟道结型管B、增强型MOS管C、耗尽型MOS管D、P沟道结型管
UGS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有（）。A、结型管B、增强型MOS管C、耗尽型MOS管
某场效应管的IDSS为6mA，而IDQ自源极流出，大小为8mA，则该管是（）A、P沟道耗尽型MOS管B、N沟道耗尽型MOS管C、P沟道增强型MOS管D、N沟道增强型MOS管
当栅源电压等于零时，增强型FET（）导电沟道，结型FET的沟道电阻（）。
UGS=0时，能够工作在恒流区的场效应管有：（）。A、JFETB、增强型MOSFETC、耗尽型MOSFET
根据栅—源电压为零时，导电沟道是否存在，将场效应管分为（）和耗尽型。
场效应管中，Idss表示栅源电压为零时的（）电流。
场效应管从结构上可分为两大类：（）、MOS；根据导电沟道的不同又可分为N沟道、P沟道两类；对于MOSFET，根据栅源电压为零时是否存在导电沟道，又可分为两种：耗尽型、（）。
场效应管工作在饱和区时，其漏极电流iD和栅源电压VGS之间呈（）关系。
当UGS＝0时，（）管不可能工作在恒流区。A、JFETB、增强型MOS管C、耗尽型MOS管D、NMOS管
EMOS管存在导电沟道时，栅源之间的电压必定大于零。
CMOS反相器基本电路包括（）A、P沟道增强型MOS管和N沟道增强型MOS管B、P沟道耗尽型MOS管和N沟道耗尽型MOS管C、P沟道增强型MOS管和N沟道耗尽型MOS管D、P沟道耗尽型MOS管和N沟道增强型MOS型
利用栅源电压控制漏极、源极之间的导电沟道的形成或消失，可以将MOS管作为开关器件使用。
判断题从电路原理受控源的角度本质上看，工作在饱和区的MOS晶体管本质等效为电压控制电流源。A对B错
单选题N沟道增强型绝缘栅场效应管，栅源电压VGS是指（）A正极性B负极性C零D不能确定