在低能量价带上聚集着许多电子,而高能量的导带上几乎没有电子,费米能级位于带隙中间。这种半导体称为()。 A、本征半导体B、P型半导体C、N型半导体D、PN结
N型半导体中杂质原子所形成的局部能级（也称施主能级），在能带中应处于（ ）。《》（ ）A.满带中B.导带中C.禁带中，但接近满带顶D.禁带中，但接近导带底
怎样区分N型半导体和P型半导体（）A、N型半导体掺入5价元素，P型半导体掺入3价元素B、N型半导体掺入3价元素，P型半导体掺入5价元素C、N型半导体和P型半导体的掺杂相同，但接头不同D、N型半导体的空穴过剩，P型半导体的空穴不
什么叫掺杂半导体？什么叫N型半导体？什么叫P型半导体？
n型半导体是在Si、Ge等四价元素中掺入少量（），p型半导体是在在四价元素Si、Ge等中掺入少量（）在价带附近形成掺杂的能级。
下列掺杂半导体属于n型半导体的是（）A、In掺杂的GeB、As掺入GeC、As掺入SiD、InSb中，Si占据Sb的位置E、GaN中，Mg占据Ga的位置
一般情况下，P型半导体的费米能级（）N型半导体的能级。A、高于B、小于C、等于D、无法确定
N型半导体中的自由电子是（）形成的。A、掺杂B、能量击发C、掺杂与能量击发
对半导体而言，其正确的说法是（）A、P型半导体多数载流子为空穴，所以它带正电B、N型半导体多数载流子为自由电子，所以它带负电C、P型半导体和N型半导体本身都不带电D、在N型半导体中，空穴是多子，自由电子是少子
由于P型半导体中含有大量空穴载流子，N型半导体中含有大量电子载流子，所以P型半导体带正电，N型半导体带负电。
当（）后，就形成了PN结.A、N型半导体内均匀掺入少量磷B、P型半导体内均匀掺入少量硼C、P型半导体和N型半导体紧密结合D、P型半导体靠近N型半导体
在半导体中掺入微量的有用杂质，制成掺杂半导体。掺杂半导体有（）。A、W型B、N型有P型C、U型
p型半导体中杂质原子所形成的局部能级（也称受主能级），在能带结构中应处于（）。A、满带中B、导带中C、禁带中，但接近满带顶D、禁带中，但接近导带底
在半导体中掺人微量的有用杂质，制成掺杂半导体。掺杂半导体有（）。A、W型B、N型有P型C、U型D、V型
填空题P型半导体是向本征半导体中参入低价元素形成的。P型半导体中的导电粒子为（）。本征半导体的费米能级位于导带与禁带的中间。费米能级的位置随电子浓度的增加而（）。
填空题半导体的中，（）称为费米能级；对本征半导体，费米能级位于（），表示（）。费米能级靠近导带，表示（），是（）型半导体；费米能级靠近价带，表示（），是（）型半导体。
填空题由施主能级激发到导带中去的电子来导电的半导体，称为（）。
单选题半导体中施主能级的位置位于（）中。A禁带B价带C导带D满带
单选题对于N型半导体来说，以下说法正确的是（）A费米能级靠近导带底B空穴为多子C电子为少子D费米能级靠近靠近于价带顶
单选题半导体中施主能级的位置位于（）。A禁带B满带C导带D价带
单选题N型半导体的费米能级处于禁带（）。A中间B上部C下部D不确定.
问答题简述半导体中浅能级和深能级掺杂对半导体的导电有何影响？
单选题半导体中受主能级的位置位于（）中。A禁带B价带C导带D满带
单选题对于P型半导体来说，以下说法正确的是（）A电子为多子B空穴为少子C能带图中施主能级靠近于导带底D能带图中受主能级靠近于价带顶
问答题以在Ge半导体掺入As为例，简述为什么类氢杂质能级的施主能级位于导带附近？
单选题电子亲和势，是指电子从（）到真空能级的能级差。A导带底能级B价带顶能级C费米能级D施主能级