N型半导体中的多子是带负电的自由电子载流子,P型半导体中的多子是带正电的空穴载流子,因此说N型半导体带负电,P型半导体带正电。() 此题为判断题(对,错)。
N型半导体带负电,P型半导体带正电。此题为判断题(对,错)。
在低能量价带上聚集着许多电子,而高能量的导带上几乎没有电子,费米能级位于带隙中间。这种半导体称为()。 A、本征半导体B、P型半导体C、N型半导体D、PN结
由于P型半导体中含有大量空穴载流子,N型半导体中含有大量电子载流子,所以P型半导体带正电,N型半导体带负电。() 此题为判断题(对,错)。
N型半导体中杂质原子所形成的局部能级(也称施主能级),在能带中应处于( )。《》( )A.满带中B.导带中C.禁带中,但接近满带顶D.禁带中,但接近导带底
N型半导体中多数载流子是电子,因此N型半导体带负电。
当纳米粒子尺寸下降到某一值时,金属费米能级附近的电子能级由准连续变为离散能级的现象以及纳米半导体粒子能隙的调制现象,均被称为()。
N型半导体中的自由电子多于空穴,而P型半导体中的空穴多于自由电 子,是否N型半导体带负电,而P型半导体带正电?
N型半导体和P型半导体中的多数载流子性质不同,N型半导体带负电,而P型半导体带正电,所以PN结形成内电场。
N型半导体的多数载流子是电子,因此N型半导体带负电。
一般情况下,P型半导体的费米能级()N型半导体的能级。A、高于B、小于C、等于D、无法确定
对半导体而言,其正确的说法是()A、P型半导体多数载流子为空穴,所以它带正电B、N型半导体多数载流子为自由电子,所以它带负电C、P型半导体和N型半导体本身都不带电D、在N型半导体中,空穴是多子,自由电子是少子
N型半导体的多数载流子是自由电子,因此N型半导体带负电。
由于P型半导体中含有大量空穴载流子,N型半导体中含有大量电子载流子,所以P型半导体带正电,N型半导体带负电。
P型半导体和N型半导体中都有载流子,但就半导体器件本身都是()A、不带电的B、带正点的C、带负电的
N型半导体,P型半导体中的多数载流子性质不同,N型半导体带负电,而P型半导体带正电,所以PN结形成内电场。
问答题N型半导体中的自由电子多于空穴,而P型半导体中的空穴多于自由电 子,是否N型半导体带负电,而P型半导体带正电?
填空题P型半导体是向本征半导体中参入低价元素形成的。P型半导体中的导电粒子为()。本征半导体的费米能级位于导带与禁带的中间。费米能级的位置随电子浓度的增加而()。
填空题半导体的中,()称为费米能级;对本征半导体,费米能级位于(),表示()。费米能级靠近导带,表示(),是()型半导体;费米能级靠近价带,表示(),是()型半导体。
单选题如在半导体的禁带中有一个深杂质能级位于禁带中央,则它对电子的俘获率()空穴的俘获率。A大于B等于C小于D有效的复合中心
单选题对于N型半导体来说,以下说法正确的是()A费米能级靠近导带底B空穴为多子C电子为少子D费米能级靠近靠近于价带顶
问答题N型半导体中的多子是带负电的自由电子载流子,P型半导体中的多子是带正电的空穴载流子,因此说N型半导体带负电,P型半导体带正电。上述说法对吗?为什么?
判断题由于P型半导体中含有大量空穴载流子,N型半导体中含有大量电子载流子,所以P型半导体带正电,N型半导体带负电。A对B错
单选题电子亲和势,是指电子从()到真空能级的能级差。A导带底能级B价带顶能级C费米能级D施主能级