半导体材料中光功率的吸收为线性关系

半导体材料中光功率的吸收为线性关系


参考答案和解析
A

相关考题:

不属于半导体激光器特性参数的是() A.输出光功率B.阈值电流C.转换效率D.消光比

半导体应变片的电阻变化量和材料的应变成线性关系。()

以下关于光功率测量结果的说法,错误的是( )。 A、我测量的光功率为-20分贝B、我测量的光功率为-20分贝毫瓦C、我测量的光功率为-20dBD、我测量的光功率为-20dBm

DWDM系统OTU单板使用的半导体光检测器主要有PIN管和APD管两种,对APD管来说,其接收光功率过载点为()dBm。A.0B.-7C.-9D.-10

半导体激光器工作时温度会升高,这时会导致阈值电流(),输出光功率会()。

若光子能量足够大,则半导体材料中价带的电子吸收光子的能量,从价带越过禁带到达导带。()

光敏型CTP版材是指版材带有光敏涂层,用高功率紫外光或可见激光进行曝光,版材表面光敏层通过吸收光量子而产生感光作用成像。

当半导体激光器的温度的增加时,其输出光功率会随之().A、立即变为0B、恒定C、下降D、增加

半导体激光器的输出光功率不会随温度而变化。

吸收剂量测量的常用现场应用方法为()A、电离室、热释光、半导体和量热法等B、电离室、半导体、量热法和化学剂量计法等C、电离室、半导体、量热法和胶片法等D、半导体、热释光、胶片法和化学剂量计等E、电离室、半导体、热释光和胶片法等

光功率增益定义为()A、输出光功率与输入光功率的差B、最小光功率与最大光功率的和C、输出光功率与输入光功率的和D、最小光功率与最大光功率的差

对于半导体光源器件,输出光功率与注入电流的关系?()A、正比B、反比C、非线性D、没有关系

DWDM系统OTU单板使用的半导体光检测器主要有PIN管和APD管两种,对APD管来说,其接收光功率过载点为()dBm。A、-9B、-10C、-19D、-25

增益定义为()A、输出光功率与输入光功率的差B、最小光功率与最大光功率的和C、输出光功率与输入光功率的和D、最小光功率与最大光功率的差

对于半导体光源,其输出的光功率与注入电流成反比。

具有1000BASE-10PX光模块的ONU的光功率范围为()。A、接收光功率:-1~-24发送光功率:+2~-3B、接收光功率:-6~-27发送光功率:+7~+2C、发送光功率:+4~-1接收光功率:-1~-24D、发送光功率:+4~-1接收光功率:-8~-26

半导体材料的()(或禁带宽度或Eg)决定半导体材料对太阳光的吸收和光伏电池的光伏能量转换效率。

对于半导体激光器,当外加正向电流达到某一值时,输出光功率将急剧增加,这时输出的光为(),这个电流称为()电流。

光生伏特效应就是半导体材料吸收光能后,在PN结上产生电动势的效应。

实际半导体电压和电流为线性关系。

在线硅表.磷表,根据()原理工作。光的吸收定律说明()与溶液浓度呈线性关系。

判断题半导体激光器的输出光功率不会随温度而变化。A对B错

单选题吸收剂量测量的常用现场应用方法为()A电离室、热释光、半导体和量热法等B电离室、半导体、量热法和化学剂量计法等C电离室、半导体、量热法和胶片法等D半导体、热释光、胶片法和化学剂量计等E电离室、半导体、热释光和胶片法等

单选题光功率增益定义为()A输出光功率与输入光功率的差B最小光功率与最大光功率的和C输出光功率与输入光功率的和D最小光功率与最大光功率的差

填空题对于半导体激光器,当外加正向电流达到某一值时,输出光功率将急剧增加,这时输出的光为(),这个电流称为()电流。

判断题光敏型CTP版材是指版材带有光敏涂层,用高功率紫外光或可见激光进行曝光,版材表面光敏层通过吸收光量子而产生感光作用成像。A对B错

单选题不属于半导体激光器特性参数的是( )A输出光功率B阈值电流C转换效率D消光比光发射机的

问答题半导体材料中的吸收过程可以分为哪两大类。