对于半导体激光器,当外加正向电流达到某一值时,输出光功率将急剧增加,这时输出的光为(),这个电流称为()电流。

对于半导体激光器,当外加正向电流达到某一值时,输出光功率将急剧增加,这时输出的光为(),这个电流称为()电流。


相关考题:

当半导体激光器的注入电流()阈值电流后,输出功率才随注入电流急剧增加,发射出激光。 A、等于B、不等于C、大于D、小于

不属于半导体激光器特性参数的是() A.输出光功率B.阈值电流C.转换效率D.消光比

半导体激光器工作时温度会升高,这时会导致阈值电流(),输出光功率会()。

当外加正向电流达到某一值时,输出光功率将急剧增加,这时将产生激光振荡,这个电流值称为阈值电流。()

PN结外加正向电压,电流值与外加电压的大小有()关系。A、随外加电压的增加,正向电流减小B、随外加电压的增加,正向电流增大C、随外加电压的减小,正向电流不变D、随外加电压的减小,正向电流增加

当半导体激光器的温度的增加时,其输出光功率会随之().A、立即变为0B、恒定C、下降D、增加

半导体激光器的输出光功率不会随温度而变化。

当线路发生短路时,线路中的电流急剧增大,当电流流过某一预定值时,反应于电流升高而动作的保护装置叫()。A、过电流保护B、过电压保护C、漏电保护D、逆电流保护

当二极管外加电压时,反向电流很小,且不随()变化。A、正向电流B、正向电压C、电压D、反向电压

当电流I大于阈值时,半导体激光器发出的光是()。A、荧光B、氦氖光C、激光D、背向散射光

对于半导体激光器的结构,下列说法错误的是()A、F-P激光器是多模,DFB和DBR激光器是单模激光器B、光学谐振腔可以是平面腔也可是球面腔C、要求全反射镜的反射系数r1,部分镜的反射系数r=1D、只有当外加正向电流达到某一值时,才会产生激光

发光二极管在正向电压()某一值时,电流极小,不发光;当电压()某一值后正向电流随电压迅速增加,发光。

发光二极管在正向电压小于某一值()时,电流极小,不发光;当电压超过某一值后正向电流随电压迅速增加,发光。

当二极管加反向电压时,若反向电压达到某一定值,反向电流会急剧增大。这种现象称为()。A、反向导通B、反向击穿C、反向截止D、正向截止

对于半导体光源,其输出的光功率与注入电流成反比。

三相全控桥整流,当某一功率柜的快熔有两个熔断时,其输出值将降至原来的一半。

当PN结外加正向电压时,扩散电流()漂移电流,耗尽层变窄,当PN结外加反向电压时,扩散电流小于漂移电流,耗尽层变宽。A、大于B、小于C、等于D、变宽

当PN结外加正向电压时,PN结内多子()形成较大的正向电流。

当PN结外加正向电压时,耗尽层的宽度将()

当PN结外加正向电压时,扩散电流()漂移电流,耗尽层()。当外加反向电压时,扩散电流()漂移电流,耗尽层()。

当二极管外加电压时,反向电流很小,且不随什么变化?()A、正向电流B、正向电压C、电压D、反向电压

硅二极管上外加正向电压很低时,正向电流几乎为零。只有在外加电压达到约()时,正向电流才明显增加,这个电压称为硅二极管的门坎电压。A、0.3VB、0.2VC、0.5VD、0.7V

当PN结外加正向电压时,()占优,耗尽层变窄。A、中和电流B、扩散电流C、漂移电流D、正弦电流

当二极管反向击穿时()。A、反向电流剧减,二极管起稳压作用B、反向电流剧增,单向导电特性被破坏C、正向电流剧增,二极管起稳压作用D、正向电流剧减,单向导电特性被破坏

单选题当半导体激光器的温度的增加时,其输出光功率会随之().A立即变为0B恒定C下降D增加

填空题对于半导体激光器,当外加正向电流达到某一值时,输出光功率将急剧增加,这时输出的光为(),这个电流称为()电流。

单选题不属于半导体激光器特性参数的是( )A输出光功率B阈值电流C转换效率D消光比光发射机的