7、IGBT的通态模型为（）A．pin二极管和MOSFET的并联；B．pin二极管和MOSFET的串联C．MOSFET和pnp晶体管的串联；D．MOSFET的漏极作为pnp晶体管的基极。
7、IGBT的通态模型为（）
A．pin二极管和MOSFET的并联；
B．pin二极管和MOSFET的串联
C．MOSFET和pnp晶体管的串联；
D．MOSFET的漏极作为pnp晶体管的基极。
参考答案和解析
A
相关考题：
以下关于设计态和运行态中哪些说法是正确的?() A.业务设计是基于元数据和模型驱动的B.设计态中设计的业务模型、策略模型等发放到运行态，进行测试验证C.设计态与运行态的环境应尽可能一致D.业务设计阶段不涉及运维
IGBT的通态压降在1／2或1／3额定电流以下的区段具有______的温度系数,在1／2或1／3额定电流以上的区段则具有______的温度系数,因而IGBT在______使用时也具有电流的自动均衡能力。
下列不是IGBT并联运行的特点的是（ ）A.在1/2或1/3额定电流以下的区段，通态降压具有负的温度系数B.在1/2或1/3额定电流以上的区段，通态降压具有正的温度系数C.并联使用时具有电流的自动均衡能力D.串联使用时具有电流的自动均衡能力
GBT与场管的区别，正确的有（）A、场管比IGBT频率高B、IGBT比场管导通压降低C、单支IGBT的 功率容量比场管容量大D、IGBT的开关损耗比场管大E、IGBT 适合低于20KHZ的逆变电路，场管适合200KHZ以下的逆变电路
IGBT与场管的区别，正确的有（）A、场管比IGBT频率高B、IGBT比场管导通压降低C、单支IGBT的 功率容量比场管容量大D、IGBT的开关损耗比场管大E、IGBT 适合低于20KHZ的逆变电路，场管适合200KHZ以下的逆变电路
填空题晶闸管元件由断态到通态，脉冲切除后，能够维持元件导通的最小阳极电流叫做（）。