2、晶体管在放大状态时,其电压偏置条件为()。A.集电结正向偏置、发射结正向偏置B.集电结正向偏置、发射结反向偏置C.集电结反向偏置、发射结反向偏置D.集电结反向偏置、发射结正向偏置

2、晶体管在放大状态时,其电压偏置条件为()。

A.集电结正向偏置、发射结正向偏置

B.集电结正向偏置、发射结反向偏置

C.集电结反向偏置、发射结反向偏置

D.集电结反向偏置、发射结正向偏置


参考答案和解析
集电结反向偏置、发射结正向偏置

相关考题:

硅晶体管和锗晶体管工作于放大状态时,其发射结电压UBE分别为()和()。

晶体管工作在放大区时,发射结处于()。 A、正向偏置B、反向偏置C、正偏或反偏D、不能确定

晶体管工作在放大状态的条件是( )。A.发射结反向偏置,集电结反向偏置B.发射结反向偏置,集电结正向偏置C.发射结正向偏置,集电结反向偏置D.发射结正向偏置,集电结正向偏置

晶体管工作在放大区时,集电结处于()。 A、正向偏置B、反向偏置C、正偏或反偏D、不能确定

晶体管处于饱和状态时的条件是发射结( )偏置,集电结( )偏置.A、正向,反向B、正向,正向C、反向,反向D、反向,正向

晶体管工作在放大状态时,必须满足外加电压发射结(),集电结()。

晶体管处于放大状态的条件为()。 A.发射结正向偏置,集电结正向偏置B.发射结正向偏置,集电结反向偏置C.发射结反向偏置,集电结正向偏置D.发射结反向偏置,集电结反向偏置

共发射极电路的放大区描述正确的?_________ A.发射结处于正向偏置B.集电结处于反向偏置C.晶体管工作于放大状态也称为线性区D.放大区具有电流放大作用

使晶体管处于放大状态的偏置状况是:()结正偏,()结反偏。

晶体管具有电流放大作用的外部条件是:()结正向偏置;()结反向偏置。

NPN型晶体管工作在放大状态时,其发射极电压与发射极电流的关系为(  )。

三极管作电流放大时,在发射结上加正向偏置电压,在集电结上加反向偏置电压。

当晶体管处于放大状态时,其特征是:发射结处于()偏置,集电结处于反向偏置。A、正向B、反向C、左向D、右向

普通晶体管用作放大时,输入端发射结保持为()。A、反向偏置B、正向偏置C、正向、反向偏置均可

晶体管放大器设置合适的静态工作点,以保证放大信号时,三极管()。A、发射结为反向偏置B、集电结为正向偏置C、始终工作在放大区

硅晶体管和锗晶体管工作于放大状态时,其发射结电压UBE分别为()V和()V。

发射结处于正向偏置的晶体管,其一定是工作于放大状态。()

处于放大工作状态的晶体管,要设置合适的()A、偏置电路B、整流电路C、逆变电路D、放大电路

晶体管的集电结反向偏置、发射结正向偏置,它的工作状态是()A、截止B、放大C、饱和D、损毁

双极型晶体管工作在放大区的偏置条件是发射结()、集电结()。

双极型晶体管(BJT)放大偏置时,应在其发射结加()电压,在集电结加()电压。

双极型晶体管工作在放大区偏置条件是()增强型N沟道的场效应管工作在放大区的偏置条件是()。

三极管工作在放大状态时,发射结应()偏置,集电结应()偏置。若工作在饱和状态时,发射结应()偏置,集电结应()偏置。若工作在截止状态时,发射结应()偏置,集电结应()偏置。

晶体管在放大状态时,集电极为反向偏置,而发射结正向偏置。

单选题三极管工作在截止状态时其条件是()。A发射结正向偏置,集电结反向偏置B发射结电压小于其死区电压C发射结集电结都正向偏置D集电结电压大于其死区电压

单选题晶体管工作在放大区的条件是()。A发射结正向偏置,集电结反向偏置B发射结反向偏置,集电结正向偏置C发射结正向偏置,集电结正向偏置D发射结反向偏置,集电结反向偏置

填空题在正常使用条件下,晶体管的发射结加正向小电压,称为()偏置,集电结加反向大电压,称为反向偏置。

单选题无论是PNP型还是NPN型三极管,工作在放大状态时其条件是()A发射结正向偏置,集电结反向偏置B发射结反向偏置,集电结正向偏置C发射结正向偏置,集电结正向偏置D发射结反向偏置,集电结反向偏置