晶体管处于放大状态的条件为()。 A.发射结正向偏置,集电结正向偏置B.发射结正向偏置,集电结反向偏置C.发射结反向偏置,集电结正向偏置D.发射结反向偏置,集电结反向偏置

晶体管处于放大状态的条件为()。

A.发射结正向偏置,集电结正向偏置

B.发射结正向偏置,集电结反向偏置

C.发射结反向偏置,集电结正向偏置

D.发射结反向偏置,集电结反向偏置


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当晶体管的两个PN结都反偏时,则晶体管处于()。 A、饱和状态B、放大状态C、截止状态

当晶体管的发射结正偏,集电结反偏时,则晶体管处于()。 A、饱和状态B、放大状态C、截止状态

晶体管电路图如下,已知各晶体管的β=50,那么晶体管处于放大工作状态的电路是(  )。

晶体管电路如图所示,已知各晶体管的β= 50,那么晶体管处于放大工作状态的电路是( )。

在上题所示的放大电路中,晶体管处于放大状态和饱和状态时,各极电位的关系?

处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。()

发射结处于正向偏置的晶体管,一定是工作放大状态。()

7、处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。()

NPN晶体管处于放大状态的条件是UBB>UBE(on),且UCEQ>UBE(on) 。

2、NPN晶体管处于放大状态的条件是UBB>UBE(on),且UCEQ>UBE(on) 。