工作于放大区的三极管,当IB从20μA增加到40μA时,IC从1mA变成2mA,则它的β约为() A、50B、100C、200D、20
场效应管的工作原理是() A、栅源电压控制漏极电流B、栅源电压控制漏极电压C、栅极电流控制漏极电流D、栅极电流控制漏极电压
某场效晶体管,在漏、源电压保持不变的情况下,栅、源电压变化为2V时,相应的漏极电流变化为4mA,该管的跨导是()。 A、0.5mA/VB、1mA/VC、2mA/V
场效应管的沟道完全夹断后，其漏极电流iD( )。A.很大B.随VDS变化C.较小D.等于0
当场效应管的漏极直流电流I D从2mA变为4mA时,它的低频跨导g m将( )。 A.增大B.不变C.减小
当场效应管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时,它的低频跨导gm将() A.增大B.不变C.减小D.不确定
工作在放大区的某三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA变为2mA，那么它的β约为（）A、83；B、91；C、100
功率场效应管的通态电阻是指MOSFET导通时，漏源极电压与栅极电流的比值。
在放大电路中，场效应管应工作在漏极特性的（）A、可变电阻区B、截止区C、饱和区D、击穿区
场效应管工作在非饱和区时，其ID和VDS之间呈（）关系。
在放大电路中，场效应管工作在漏极特性的（）。A、可变电阻（欧姆）区B、截止区C、饱和区
跨导gm反映了场效应管（）对（）控制能力，其单位为（）或（）。
工作在放大区域的某三极管，当IB从20μA增大到40μA时，IC从1mA变为2mA则它的β值约为。（）A、10B、50C、80D、100
场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的（）。A、非饱和区B、饱和区C、截止区D、击穿区
场效应管的漏极电流ID从1A增加到3A，它的跨导将（）。A、增大B、减小C、不变
工作在放大区的某三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA变为2mA，那么它的β约为（）。A、83B、91C、100
场效应管工作在饱和区时，其漏极电流iD和栅源电压VGS之间呈（）关系。
场效应管跨导gm表示（）对漏电流iD的控制能力的强弱。
当场效应管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时，它的低频跨导gm将（）。A、增大B、不变C、减小
工作在放大区的某晶体管，当IB从20μA增大到40μA时，IC从1mA变为2mA，它的β约为（）A、 10B、 50C、100
场效应晶体管的主要参数有（）A、开启电压B、低频跨导C、漏源击穿电压D、最大耗散功率E、最大漏极电流
场效应管的低频跨导是描述栅极电压对漏极电流控制作用的重要参数，其值愈大，场效应管的控制能力愈强。
当场效应晶体管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时，它的低频跨导gm将（）A、增大B、不变C、减小D、无法确定
单选题在放大电路中，场效应管工作在漏极特性曲线的（）区域。A可调电阻区B饱和区C击穿区D负阻区
单选题工作在放大区的某三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA变为2mA，那么它的β约为（）A83B91C100
判断题功率场效应管的通态电阻是指MOSFET导通时，漏源极电压与栅极电流的比值。A对B错
单选题场效应管是以（）控制漏极电流ID。AUDGBUDSCUGSDIGS