能够反映场效应管电压控制作用的参数是:() A、AuB、RgsC、gm
当场效应管的漏极直流电流I D从2mA变为4mA时,它的低频跨导g m将( )。 A.增大B.不变C.减小
GTR的β值反映了基极电流对集电极电流的控制能力。()
桥梁的()反映了其泄洪能力 A、计算跨径B、总跨径C、净跨径D、桥梁高度
当场效应管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时,它的低频跨导gm将() A.增大B.不变C.减小D.不确定
由下列器件构成的模拟开关中，导通电阻最低的是( )。A．CMOS场效应管B．PMOS场效应管C．NMOS场效应管D．二簧继电器
GM8搭载了传祺二代2.0T发动机，其扭矩为（）。A、243NmB、253NmC、300NmD、320Nm
跨导S在数值上等于阳极电压Ua为常数的条件下，栅极电压Ug微量变化所引起的阳极电流Ia的相应改变。（）对阳极电流的控制能力很强。A、S越大，说明栅极电流B、S越大，说明栅极电压C、S越小，说明栅极电压D、S越大，说明栅极电流
已知三极管的ICQ=1mA，则在常温下跨导gm为（）A、19.2msB、38.5msC、77msD、154ms
桥梁的总跨径，是多孔桥梁中各孔计算跨径的总和，它反映了桥下泄洪的能力。
场效应管按其结构不同常见的两种类型：（）和绝缘栅场效应管。
DZS3端为OV时输入到各调节器反馈网络中的场效应管，使其导通，调节器反馈网络短路而被封锁，3端为（）时输入到上述场效应管使其夹断，而解除封锁A、-15VB、15VC、0VD、任何值
场效应管的漏极电流ID从1A增加到3A，它的跨导将（）。A、增大B、减小C、不变
衡量场效应管控制能力的主要参数是（）A、电流放大倍数B、电压放大倍数C、跨导D、转移电阻
场效应管跨导与静态电流IDQ的关系为（）A、与 IDQ成正比B、与√IDq成正比C、与I2DQ成正比D、IDq/2成正比
N沟道JFET的跨导gm是（）A、一个固定值B、随电源电压VDD增加而加大C、随静态栅源电压VGS增加而加大D、随静态栅源电压VGS增加而减小
场效应管跨导gm表示（）对漏电流iD的控制能力的强弱。
当场效应管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时，它的低频跨导gm将（）。A、增大B、不变C、减小
（）反映了桥下宣泄洪水的能力。A、桥梁全长B、总跨径C、计算跨径D、标准跨径
场效应管的低频跨导是描述栅极电压对漏极电流控制作用的重要参数，其值愈大，场效应管的控制能力愈强。
当场效应晶体管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时，它的低频跨导gm将（）A、增大B、不变C、减小D、无法确定
单选题（）反映了桥下宣泄洪水的能力。A桥梁全长B总跨径C计算跨径D标准跨径
判断题服务强度（ρ=λ/μ）反映了单个服务台在单位时间内用于为顾客提供服务的平均服务时间，因而也反映了服务台的繁忙程度。A对B错
判断题功率场效应管的通态电阻是指MOSFET导通时，漏源极电压与栅极电流的比值。A对B错
单选题桥梁的（）反映了其泄洪能力。A计算跨径B总跨径C桥梁高度D净跨径
判断题桥梁的总跨径，是多孔桥梁中各孔计算跨径的总和，它反映了桥下泄洪的能力。A对B错
填空题MOSFET的跨导的定义是（），反映了（）对（）的控制能力。