屏蔽效应使被屏蔽电子的能量升高。
屏蔽效应使被屏蔽电子的能量升高。
参考答案和解析
A
相关考题：
关于影响屏蔽常数σ大小的因素，正确的说法是（）A、被屏蔽电子的l值越小，σ值越大；B、屏蔽电子的n值越小，σ值越大；C、被屏蔽电子离核越远，σ值越大；D、屏蔽电子的数目越多，σ值越大；E、n=1的电子所受屏蔽σ=0
乙烯比乙炔质子的相对化学位移要大，主要原因是（）。A、由于磁的各向异性效应，使得乙烯、乙炔质子都处在屏蔽区B、由于磁的各向异性效应，使得乙烯、乙炔质子都处在去屏蔽区C、由于磁的各向异性效应，使乙烯质子处在屏蔽区，乙快质子处在去屏蔽区
下列关于屏蔽效应的说法中，正确的一个是（）A、4s电子的屏蔽常数σ4s反映了4s电子屏蔽原子核作用的大小B、当n和Z相同时，某电子的σ值愈大，该电子的能量就愈低C、主量子数n相同，角量子数l不同；随l增大，电子的屏蔽作用增大D、当屏蔽电子数目愈多或被屏蔽电子离核愈远时，σ值也愈大
在多电子原子中，计算屏蔽常数σ时，可以不考虑的是（）。A、外层电子对内层电子的屏蔽作用B、（n－1）层电子对最外层（n层）电子的屏蔽作用C、（n－2）层电子对最外层（n层）电子的屏蔽作用D、同一层电子之间的屏蔽作用
在核磁共振波谱分析中，当质子核外的电子云密度增加时（）A、屏蔽效应增强，化学位移值大，峰在高场出现B、屏蔽效应减弱，化学位移值大，峰在高场出现C、屏蔽效应增强，化学位移值小，峰在高场出现D、屏蔽效应增强，化学位移值大，峰在低场出现
电子整机产品中的屏蔽分为（）三种类型。A、高频信号屏蔽、中频信号磁屏蔽、低频信号屏蔽B、音频信号屏蔽、视频信号磁屏蔽、控制信号屏蔽C、数字信号屏蔽、模拟信号磁屏蔽、干扰信号屏蔽D、电屏蔽、磁屏蔽、电磁屏蔽
关于屏蔽常数σ，下列说法错误的是（）A、屏蔽电子的数目越多，σ值越大B、被屏蔽电子离核越远，σ值越大C、某电子的屏蔽常数σ反映该电子屏蔽原子核作用的大小D、当n和z相同时，某电子的σ值越大，该电子的能量越低
单选题在核磁共振波谱分析中，当质子核外的电子云密度增加时（）A屏蔽效应增强，化学位移值大，峰在高场出现B屏蔽效应减弱，化学位移值大，峰在高场出现C屏蔽效应增强，化学位移值小，峰在高场出现D屏蔽效应增强，化学位移值大，峰在低场出现
单选题乙烯质子的化学位移值（δ）比乙炔质子的化学位移值大还是小？其原因是（）A大，因为磁的各向异性效应，使乙烯质子处在屏蔽区，乙炔质子处在去屏蔽区B大，因为磁的各向异性效应，使乙烯质子处在去屏蔽区，乙炔质子处在屏蔽区C小，因为磁的各向异性效应，使乙烯质子处在去屏蔽区，乙炔质子处在屏蔽区D小，因为磁的各向异性效应，使乙烯质子处在屏蔽区，乙炔质子处在去屏蔽区
多选题为减少电磁干扰的感应效应，应采取的基本屏蔽措施是（）A建筑物或房间的外部设屏蔽措施B设备屏蔽C静电屏蔽D以合适的路径敷设线路，线路屏蔽