下列关于屏蔽效应的说法中，正确的一个是（）A、4s电子的屏蔽常数σ4s反映了4s电子屏蔽原子核作用的大小B、当n和Z相同时，某电子的σ值愈大，该电子的能量就愈低C、主量子数n相同，角量子数l不同；随l增大，电子的屏蔽作用增大D、当屏蔽电子数目愈多或被屏蔽电子离核愈远时，σ值也愈大
下列关于屏蔽效应的说法中，正确的一个是（）
- A、4s电子的屏蔽常数σ4s反映了4s电子屏蔽原子核作用的大小
- B、当n和Z相同时，某电子的σ值愈大，该电子的能量就愈低
- C、主量子数n相同，角量子数l不同；随l增大，电子的屏蔽作用增大
- D、当屏蔽电子数目愈多或被屏蔽电子离核愈远时，σ值也愈大
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(31）关于32位二进制数值的IP地址，下列说法正确的是( ）。A）使用子网屏蔽码是为了减少过小网络对IP资源的浪费B）子网屏蔽码固定长度为16、位，用于屏蔽网络号C） IP地址中的网络号部分在子网屏蔽码中用“0”表示，而主机号部分在子网屏蔽码中用“1”表示D）在实际中，对IP地址进行划分为网络号和子网屏蔽码两部分
下列关于I/O设备的叙述中，哪一个是正确的？A.不同的I/O设备可以并行工作B.只有I/O设备才能产生有效的中断源C.在中断处理过程中，必须屏蔽新中断D.SPOOLing系统是脱机I/O系统
下列关于屏蔽服的原理说法中不正确的是()。 A.屏蔽服是电磁感应原理的具体应用B.屏蔽服实际为一金属网状结构C.屏蔽服不是全封闭的导体，会有部分电场穿透屏蔽服内部D.屏蔽服存在屏蔽效率的问题
下列关于有源屏蔽的描述正确的是A、屏蔽线圈与超导主线圈中电流方向相同B、屏蔽线圈需要使用超导材料制作C、有源屏蔽的重量大于无源屏蔽D、有源屏蔽的屏蔽效能低于自屏蔽E、有源屏蔽线圈不需要浸泡在液氦中
关于行为金融理论，下列说法中，正确的是（）。Ⅰ．过度自信会导致交易不足Ⅱ．禀赋效应会导致过度交易Ⅲ．可得性偏差会导致本土偏好Ⅳ．锚定效应会导致货币幻觉 A、Ⅲ、ⅣB、Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ、ⅣC、Ⅰ、Ⅲ、ⅣD、Ⅰ、Ⅱ
下列关于利用半价层计算屏蔽层厚度的说法，正确的是（）A、只要有散射线存在，其半价层就不是固定值B、根据半价层计算出的屏蔽层厚度是准确的C、半价层厚度随屏蔽层的厚度增加而增加D、屏蔽层厚度很大时，半价层厚度不再随屏蔽层的厚度增加而增加
关于影响屏蔽常数σ大小的因素，正确的说法是（）A、被屏蔽电子的l值越小，σ值越大；B、屏蔽电子的n值越小，σ值越大；C、被屏蔽电子离核越远，σ值越大；D、屏蔽电子的数目越多，σ值越大；E、n=1的电子所受屏蔽σ=0
下列关于有线电视F头的制作标准说法正确的是（）。A、同轴电缆开剥时注意不要伤到屏蔽网B、同轴电缆开剥时屏蔽网可完全剪除C、铜芯线与外层网状屏蔽线不可接触，否则将导致短铬D、铜芯线与外层网状屏蔽线可接触
下列关于非线性规划问题的叙述正确的是（）A、目标函数中有一个是决策变量的非线性函数B、约束条件中有一个是决策变量的非线性函数C、目标函数是决策变量的线性函数，而约束条件中有一个是决策变量的线性函数D、以上说法均不正确
下列关于利用半价层计算屏蔽层厚度的说法，不正确的是（）A、只要有散射线存在，其半价层就不是固定值B、根据半价层计算出的屏蔽层厚度是准确的C、半价层厚度随屏蔽层的厚度增加而增加D、屏蔽层厚度很大时，半价层厚度不再随屏蔽层厚度增加而增加
关于屏蔽常数σ，下列说法错误的是（）A、屏蔽电子的数目越多，σ值越大B、被屏蔽电子离核越远，σ值越大C、某电子的屏蔽常数σ反映该电子屏蔽原子核作用的大小D、当n和z相同时，某电子的σ值越大，该电子的能量越低
下列关于I/O设备的叙述中，哪一个是正确的？（）A、不同的I/O设备可以并行工作B、只有I/O设备才能产生有效的中断源C、在中断处理过程中，必须屏蔽新中断D、SPOOLing系统是脱机I/O系统
关于电力电缆铜屏蔽层电阻和导体电阻比测试的说法正确的是（）。A、能够判断屏蔽层是否出现腐蚀B、比值增大，屏蔽层可能腐蚀C、比值减少，可能是附件中的导体连接点的电阻增大D、正常情况下，比值应无明显改变
多选题下列关于利用半价层计算屏蔽层厚度的说法，正确的是（）A只要有散射线存在，其半价层就不是固定值B根据半价层计算出的屏蔽层厚度是准确的C半价层厚度随屏蔽层的厚度增加而增加D屏蔽层厚度很大时，半价层厚度不再随屏蔽层的厚度增加而增加
单选题下列关于利用半价层计算屏蔽层厚度的说法，不正确的是（）A只要有散射线存在，其半价层就不是固定值B根据半价层计算出的屏蔽层厚度是准确的C半价层厚度随屏蔽层的厚度增加而增加D屏蔽层厚度很大时，半价层厚度不再随屏蔽层厚度增加而增加