使质子化学位移出现在高场的原因是( )。A形成氢键B去屏蔽效应C屏蔽效应D连接了电负性大的基团
使质子化学位移出现在高场的原因是( )。
A形成氢键
B去屏蔽效应
C屏蔽效应
D连接了电负性大的基团
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在和磁共振波谱分析中，当氢核的核外电子云密度增加时 （）A．屏蔽效应增强，化学位移值增大，峰向高场位移B．屏蔽效应减弱，化学位移值增大，峰向高场位移C．屏蔽效应增强，化学位移值减小，峰向高场位移D．屏蔽效应增强，化学位移值增大，峰向低场位移
25、在和磁共振波谱分析中，当氢核的核外电子云密度增加时（）A．屏蔽效应增强，化学位移值增大，峰向高场位移B．屏蔽效应减弱，化学位移值增大，峰向高场位移C．屏蔽效应增强，化学位移值减小，峰向高场位移D．屏蔽效应增强，化学位移值增大，峰向低场位移
10、在和磁共振波谱分析中，当氢核的核外电子云密度增加时 （）A．屏蔽效应增强，化学位移值增大，峰向高场位移B．屏蔽效应减弱，化学位移值增大，峰向高场位移C．屏蔽效应增强，化学位移值减小，峰向高场位移D．屏蔽效应增强，化学位移值增大，峰向低场位移
乙烯质子的化学位移值比乙炔质子的化学位移值大还是小？其原因（）A．大。因为磁的各向异性效应，使乙烯质子处在屏蔽区，乙炔质子处在去屏蔽区B．大。因为磁的各向异性效应，使乙烯质子处在去屏蔽区，乙炔质子处在屏蔽区C．小。因为磁的各向异性效应，使乙烯质子处在屏蔽区，乙炔质子处在去屏蔽区D．小。因为磁的各向异性效应，使乙烯质子处在屏蔽区，乙炔质子处在去屏蔽区
下列关于屏蔽和去屏蔽区的说法正确的是（）A．环状烯烃会形成环流效应，在环内产生去屏蔽区，环内H的化学位移增大B．炔氢处于C≡C键轴方向，受到强烈的屏蔽效应，因此相对烯氢在高场出峰C．环状烯烃会形成环流效应，在环外产生屏蔽区，环外H的化学位移减小D．炔氢处于C≡C键轴方向，受到强烈的去屏蔽效应，因此相对烯氢在低场出峰
3、质子化学位移向低场方向移动的原因包括（）。A．诱导效应B．屏蔽效应C．氢键效应D．去屏蔽效应