下列关于MOS管的说法中，正确的有：A．PMOS管：高电平输入导通，低电平输入截止B．NMOS管：高电平输入导通，低电平输入截止C．PMOS管：高电平输入截止，低电平输入导通D．NMOS管：高电平输入截止，低电平输入导通E．NMOS和PMOS管，都是高电平输入导通，低电平输入截止F．NMOS和PMOS管，都是高电平输入截止，低电平输入导通

下列关于MOS管的说法中，正确的有：

A．PMOS管：高电平输入导通，低电平输入截止

B．NMOS管：高电平输入导通，低电平输入截止

C．PMOS管：高电平输入截止，低电平输入导通

D．NMOS管：高电平输入截止，低电平输入导通

E．NMOS和PMOS管，都是高电平输入导通，低电平输入截止

F．NMOS和PMOS管，都是高电平输入截止，低电平输入导通

参考答案和解析
BC

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vGS=0时,不能工作在放大区的场效应管是( )。 A.结型管B耗尽型MOS管C增强型MOS管
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下列关于集成电路发展过程中的主要分类说法正确的是()。 A.单极型集成电路以TTL为主B.单极型集成电路以MOS为主C.TTL是双极型集成电路中用得最多的一种D.MOS是双极型集成电路中用得最多的一种
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结型场效应管的类型有()。 A.N沟道结型场效应管B.P沟道结型场效应管C.N沟道增强型MOS管D.P沟道增强型MOS管E.N沟道耗尽型MOS管F.P沟道耗尽型MOS管
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单极型集成电路不包含（）.A、普通晶体管（NPN管或PNP管）B、P沟道MOS管C、N沟道MOS管D、互补型MOS（即CMOS）
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关于无规共聚聚丙烯管(PP—R管)的特性，下列说法中正确的有A、无毒B、无害C、不生锈D、不腐蚀
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MOS管
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在“四柱清册”记账方法中，下列关于“四柱”的说法，正确的有：（）。A、旧管B、实在C、开除D、新管
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结型场效应管的类型有（）。A、N沟道结型场效应管B、P沟道结型场效应管C、N沟道增强型MOS管D、P沟道增强型MOS管E、N沟道耗尽型MOS管F、P沟道耗尽型MOS管
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场效应管的类型有（）。A、结型场效应管B、绝缘栅型场效应管C、N沟道增强型MOS管D、P沟道增强型MOS管E、N沟道耗尽型MOS管F、P沟道耗尽型MOS管
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衬底为N型硅片的MOS管就是N沟道MOS场效应管。
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UGS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有（）。A、结型管B、增强型MOS管C、耗尽型MOS管
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某场效应管的IDSS为6mA，而IDQ自源极流出，大小为8mA，则该管是（）A、P沟道耗尽型MOS管B、N沟道耗尽型MOS管C、P沟道增强型MOS管D、N沟道增强型MOS管
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当UGS＝0时，（）管不可能工作在恒流区。A、JFETB、增强型MOS管C、耗尽型MOS管D、NMOS管
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源极及衬底接地时，MOS管栅极（）。A、对地阻抗极大B、对地有数uF的电容C、对地有很高的电压D、以上都正确
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CMOS反相器基本电路包括（）A、P沟道增强型MOS管和N沟道增强型MOS管B、P沟道耗尽型MOS管和N沟道耗尽型MOS管C、P沟道增强型MOS管和N沟道耗尽型MOS管D、P沟道耗尽型MOS管和N沟道增强型MOS型
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多选题关于高宽长比MOS管的版图，下列说法正确的是（）A高宽长比MOS管通常采用Multi-finger的方式绘制。B高宽长比MOS管采用Multi-finger后其源/漏极的面积会减少。C高宽长比MOS管可以通过若干个小MOS管的并联形式绘制。D高宽长比MOS管采用Multi-finger后其栅极电阻会减小。
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