三极管工作在放大状态时,它的两个PN结必须是() A、发射结和集电结同时正偏B、发射结和集电结同时反偏C、集电结正偏，发射结反偏D、集电结反偏，发射结正偏
PN结正偏时导通,反偏时截止,所以PN结具有单向导电性。() 此题为判断题(对，错)。
变容二极管采用()电压,它的值越大结电容则() A.正偏、越小B.反偏、越小C.正偏、越大D.反偏、越大
收录机的变容二极管的等效电容与外加反偏电压成（）关系A、微分B、积分C、正比D、反比
VCO电路中，通过改变回路电抗元件参数改变频率，此可变器件是（）。A、电感B、电容C、变容二极管D、可变电阻
变容二极管的电容量随（）变化。A、正偏电流B、反偏电压C、结温
（）是工作在反偏状态，由PN结电容的变化而工作。A、开关二极管B、变容二极管C、稳压二极管D、检波二极管
变容二极管采用（）电压，它的值越大结电容则（）。A、正偏、越小B、反偏、越小C、正偏、越大D、反偏、越大
变容二极管是一种利用pn结电容（或接触势垒电容）与其反向偏置电压vr的依赖关系及原理制成的二极管，其反偏电压愈大，结电容愈大。（）
三极管工作在放大状态时，PN结的偏置状态是（）。A、发射结、集电结皆正偏B、发射结、集电结皆反偏C、发射结正偏，集电结反偏D、发射结反偏，集电结正偏
PN结正偏时（），反偏时（），所以PN结具有（）导电性。
变容二极管在电路中使用时，其PN结是（）A、正向运用B、反向运用
变容二极管是利用PN结的势垒电容而制成的，应工作在（）状态。
和开路PN结的结区宽度相比较，当PN结加正偏电压时，其结区宽度将变（）；当PN结加反偏电压时，其结区宽度将变（）
晶体三极管工作在饱和状态时，其两个PN结的偏置状态是（）A、发射结正偏，集电结正偏B、发射结正偏，集电结反偏C、发射结反偏，集电结正偏D、发射结反偏，集电结反偏
使PN结正偏的方法是：将P区接（）电位，N区接（）电位。正偏时PN结处于（）状态，反偏时PN结处于（）状态。
变容二极管的电容是（）形成的.A、PN结电阻B、引线接触电阻C、耗尽区电荷D、正向扩散电流
变容二极管电容增加是由于（）引起的.A、PN结面积变小B、PN结尽区变窄C、扩散电流增加D、管脚接触电阻变大
在利用变容二极管进行调频时，必须加上一个大于调制信号振幅的反向直流偏压，是为了（）。A、保证变容二极管在调制电压的负半周也具有反向电压B、保证变容二极管在调制电压的正半周也具有反向电压C、保证变容二极管在调制电压的负半周也具有正向电压D、保证变容二极管在调制电压的正半周也具有正向电压
VCO电路中，通过改变回路电抗元件参数改变频率，此可变器件为（）。A、电感B、电容C、变容二极管
PN结具有（）特性。A、正偏B、反偏C、单向D、双向
变容二极管的（）随外加偏压而变化，当反向偏压向负的方向增大时，变容二极管的（）。
填空题PN结的单向导电性，就是PN结正偏时（），反偏时（）。
单选题三极管工作在放大状态时，它的两个PN结必须是（）。A发射结和集电结同时反偏B发射结正偏，集电结反偏C发射结和集电结同时正偏D发射结反偏，集电结正偏
单选题变容二极管在电路中使用时，其PN结是（）A正向运用B反向运用
填空题PN结光电器件，反偏时光电流与反偏电压（）。
填空题PN结正偏时（），反偏时（），所以PN结具有（）导电性。