变容二极管调频器实现线性调频的条件是变容二极管的结电容变化指数γ为() A、1/3B、1/2C、2D、4
变容二极管工作时,应加() A、反向电压B、正向电压C、反向电压或正向电压
某电源为舞台灯光供电采用3相桥式全控电路供电电压变化范围较大。但要求输出电流恒定。则流过晶闸管的电流有效值是() A、恒定的B、控制角α越大，越大C、控制角α越大，越小D、控制角α越小，越大
变容二极管采用()电压,它的值越大结电容则() A.正偏、越小B.反偏、越小C.正偏、越大D.反偏、越大
晶闸管导通期间所对应的角称为(),它的值越大,负载上的输出电压越()。
在检测变容二极管的结电容之前，应先将二极管（），然后打开电源。A、充电B、断路放电C、短路放电D、开路
单相半波整流电路中的滤波电容值越大，则（）。A、输出的电压值越大；B、输出的平均电压值越大C、输出电压的脉动频率越大
选频回路的调谐电压Vt与变容二极管结电容Cd之间的关系是（）。A、增大则下降；下降则增大B、增大则增大；下降则下降C、互不影响
晶体管导通期间所对应的的角度称为（）它的值越大，负载上的输出电压（）。
微波电路中所使用的变容二极管主要特性是（）。A、结电容随反向电压线性变化B、结电容随着反向电压向负方向增大而减小C、反向电压变化不影响结电容变化
（）是工作在反偏状态，由PN结电容的变化而工作。A、开关二极管B、变容二极管C、稳压二极管D、检波二极管
变容二极管是一种利用pn结电容（或接触势垒电容）与其反向偏置电压vr的依赖关系及原理制成的二极管，其反偏电压愈大，结电容愈大。（）
变容二极管的主要参量有（）。A、中心反向偏压B、标称电容C、零偏压优值D、反向击穿电压
理想电流源的外接电阻越大，则它的端电压（）。A、越高B、越低C、不能确定
理想电流源的外接电阻越大，则它的端电压（）。A、越高B、越低C、不能确定D、不变
在基本组态的放大电路中，负载电阻RL越大，则电压放大倍数的值（），信号源的内阻R0越大，则源电压放大倍数的值（）。
变容二极管上（）时，电容值减少.A、反向电压减少B、反向电压增加C、正向电压减少D、正向电压增加
在利用变容二极管进行调频时，必须加上一个大于调制信号振幅的反向直流偏压，是为了（）。A、保证变容二极管在调制电压的负半周也具有反向电压B、保证变容二极管在调制电压的正半周也具有反向电压C、保证变容二极管在调制电压的负半周也具有正向电压D、保证变容二极管在调制电压的正半周也具有正向电压
VHF接收机选频回路的调谐电压Vt与变容二极管结电容Cd之间的关系是增大则增大；下降则下降。
当加在变容二极管上的负偏压向负的方向增大时，它的结电容（）当负偏绝对值减小时，结电容（）
晶闸管导通期间所对应的角度称为（），它的值越大，输出电压越（）。
单选题单项半波整流电路中的滤波电容值越大则（）。A输出电压值越大B输出平均电压值越大C输出的电压脉动频率越大
单选题微波电路中所使用的变容二极管主要特性是（）。A结电容随反向电压线性变化B结电容随着反向电压向负方向增大而减小C反向电压变化不影响结电容变化
填空题晶体管的一个重要高频参数是它的（）频率fT，它是晶体管的下降为时的工作频率。晶体管的结电容越小，其fT参数越大。
单选题车速越高，则（）。A侧向力越大；后倾角越大，则力臂值越小B侧向力越小；后倾角越大，则力臂值越小C侧向力越大；后倾角越大，则力臂值越大D侧向力越小；后倾角越大，则力臂值越大
单选题变容二极管调频器实现线性调频的条件是变容二极管的结电容变化指数（）.A1/3B1/2C2D4
单选题在检测变容二极管的结电容之前，应先将二极管（），然后打开电源。A充电B断路放电C短路放电D开路