()是工作在反偏状态,由PN结电容的变化而工作。A、开关二极管B、变容二极管C、稳压二极管D、检波二极管

()是工作在反偏状态,由PN结电容的变化而工作。

  • A、开关二极管
  • B、变容二极管
  • C、稳压二极管
  • D、检波二极管

相关考题:

三极管工作在放大状态时,它的两个PN结必须是() A、发射结和集电结同时正偏B、发射结和集电结同时反偏C、集电结正偏,发射结反偏D、集电结反偏,发射结正偏

BJT工作在放大区的工作条件是:()。A、发射结正偏,集电结反偏B、发射结正偏,集电结正偏C、发射结反偏,集电结正偏D、发射结反偏,集电结反偏

晶体三极管工作在放大状态的条件是( )。A.发射极反偏,集电极正偏B.发射极反偏,集电极反偏C.发射极正偏,集电极正偏D.发射极正偏,集电极反偏

双极型晶体三极管在放大状态工作时的外部条件是()A、发射结正偏,集电结正偏B、发射结正偏,集电结反偏C、发射结反偏,集电结反偏D、发射结反偏,集电结正偏

晶体管工作在饱和状态时其发射结正偏集电结反偏。

处于截止状态的三极管,其工作状态为()。A、发射结正偏,集电结反偏B、发射结反偏,集电结反偏C、发射结正偏,集电结正偏

三极管处于截止状态的工作条件是发射结零偏或反偏,集电结反偏。

当发射结正偏、集电结反偏时,晶体三极管工作在放大状态。

PN结有结电容。

处于截止状态的三极管,其工作状态为()。A、射结正偏,集电结反偏B、射结反偏,集电结反偏C、射结正偏,集电结正偏D、射结反偏,集电结正偏

变容二极管采用()电压,它的值越大结电容则()。A、正偏、越小B、反偏、越小C、正偏、越大D、反偏、越大

变容二极管是一种利用pn结电容(或接触势垒电容)与其反向偏置电压vr的依赖关系及原理制成的二极管,其反偏电压愈大,结电容愈大。()

三极管工作在放大状态时,PN结的偏置状态是()。A、发射结、集电结皆正偏B、发射结、集电结皆反偏C、发射结正偏,集电结反偏D、发射结反偏,集电结正偏

工作在截止区的三极管的两个PN结()。A、均正偏B、均反偏C、一个正偏,一个反偏D、都不对

PN结正偏时(),反偏时(),所以PN结具有()导电性。

变容二极管是利用PN结的势垒电容而制成的,应工作在()状态。

三极管工作在放大状态的条件是()。A、发射极正偏,集电极正偏B、发射极正偏,集电极反偏C、发射极反偏,集电极反偏D、发射极反偏,集电极正偏

晶体三极管工作在饱和状态时,其两个PN结的偏置状态是()A、发射结正偏,集电结正偏B、发射结正偏,集电结反偏C、发射结反偏,集电结正偏D、发射结反偏,集电结反偏

使PN结正偏的方法是:将P区接()电位,N区接()电位。正偏时PN结处于()状态,反偏时PN结处于()状态。

三极管工作在饱和状态的条件是()。A、发射极正偏,集电极正偏B、发射极正偏,集电极反偏C、发射极反偏,集电极反偏D、发射极反偏,集电极正偏

三极管工作在放大状态时,其偏置应为()A、发射结零偏集电结反偏B、发射结正偏集电结反偏C、发射结正偏集电结正偏D、发射结反偏集电结反偏

处于截止状态的三极管,其工作状态是()。A、射结正偏,集电结反偏B、射结反偏,集电结反偏C、射结正偏,集电结正偏D、射结反偏,集电结正偏

两个PN结均为正偏时,晶体管工作在饱和状态;两个PN结均为反偏时,晶体管工作在截止状态。

单选题三极管工作在放大状态时,它的两个PN结必须是()。A发射结和集电结同时反偏B发射结正偏,集电结反偏C发射结和集电结同时正偏D发射结反偏,集电结正偏

填空题光电二极管的PN结工作在反偏状态,它的反向电流会随光照强度的增加而()。

单选题处于截止状态的晶体管,其工作状态为()。A发射结正偏,集电结正偏B发射结反偏,集电结反偏C发射结正偏,集电结反偏D发射结反偏,集电结正偏

单选题处于截止状态的三极管,其工作状态为()。A射结正偏,集电结反偏B射结反偏,集电结反偏C射结反偏,集电结正偏D射结正偏,集电结正偏