变容二极管的()随外加偏压而变化,当反向偏压向负的方向增大时,变容二极管的()。

变容二极管的()随外加偏压而变化,当反向偏压向负的方向增大时,变容二极管的()。


相关考题:

下面说法正确的是( ) 。A. 半导体光源是通过电子在能级间的跃迁而发光的;B. 半导体光源是通过电子的受激吸收跃迁而发光的;C. 半导体光源是通过外加反向偏压而发光的;D. 半导体光源是通过外加正向偏压而发光的。

发光二极管的工作条件是()。 A、加正向偏压B、发热C、加反向偏压D、光照

取x=xb计算偏压构件,是在(  )情况下。 A、As≠As′,且均未知的大偏压 B、As≠As′,且均未知的小偏压 C、As≠As′,且As′已知时的大偏压 D、As≠As′,且As′已知时的小偏压

有关偏心受压构件的正截面抗弯承载力的叙述中,正确的是( )。A.随轴力减小而增加B.随轴力减小而减小C.小偏压时随轴力增加而增加D.大偏压时随轴力增加而增加

下列关于钢筋混凝土偏心受压构件的抗弯承载力的叙述,( )是正确的。A.大、小偏压时均随轴力增加而增加B.大、小偏压时均随轴力增加而减小C.小偏压时随轴力增加而增加D.大偏压时随轴力增加而增加

为了使高频功率放大器工作在丙类状态,基极偏压应为()。A、负偏压B、正偏压C、正负偏压皆可D、零

PN结P极接外电源正,N极接外电源负叫做反向偏压。

微波电路中所使用的变容二极管主要特性是()。A、结电容随反向电压线性变化B、结电容随着反向电压向负方向增大而减小C、反向电压变化不影响结电容变化

偏压构件的抗弯承载力()。A、随着轴向力的增加而增加B、随着轴向力的减少而增加 C、小偏压时随着轴向力的增加而增加D、大偏压时随着轴向力的增加而增加。

单层厂房对称配筋偏心受压柱()A、当轴力不变时,弯矩增大,小偏压柱纵向配筋量减少B、当轴力不变时,弯矩减小,大偏压柱纵向配筋量增多C、当弯矩不变时,轴向压力减小,小偏压柱纵向配筋量增多D、当弯矩不变时,轴向压力减小,大偏压柱纵向配筋量增多

当二极管外加反向电压在反向击穿电压以内范围变动时,反向电流()。A、基本上不随反向电压变化B、随反向电压增大而增大C、随反向电压增大而减小D、不一定

稳压管DZ和限流电阻R组成稳压稳压电路,稳压管的稳定电压作为调整管的()。A、正向偏压B、反向偏压C、反馈偏压D、工作偏压

变容二极管的主要参量有()。A、中心反向偏压B、标称电容C、零偏压优值D、反向击穿电压

变容二极管电容随反向电压的增大而减小。

为了使雪崩光电二极管APD正常工作,在其P-N结上应加()。A、高正向偏压B、低正向偏压C、低反向偏压D、高反向偏压

为了使雪崩光电二极管正常工作,在其P-N结上应加()A、高正向偏压B、低正向偏压C、低反向偏压D、高反向偏压

在利用变容二极管进行调频时,必须加上一个大于调制信号振幅的反向直流偏压,是为了()。A、保证变容二极管在调制电压的负半周也具有反向电压B、保证变容二极管在调制电压的正半周也具有反向电压C、保证变容二极管在调制电压的负半周也具有正向电压D、保证变容二极管在调制电压的正半周也具有正向电压

当加在变容二极管上的负偏压向负的方向增大时,它的结电容()当负偏绝对值减小时,结电容()

单选题当二极管外加反向电压在反向击穿电压以内范围变动时,反向电流()。A基本上不随反向电压变化B随反向电压增大而增大C随反向电压增大而减小D不一定

单选题微波电路中所使用的变容二极管主要特性是()。A结电容随反向电压线性变化B结电容随着反向电压向负方向增大而减小C反向电压变化不影响结电容变化

单选题为了使雪崩光电二级管正常工作,应在其P-N结上加()A高反向偏压B低正向偏压C高正向偏压D低反向偏压

单选题为了使雪崩光电二极管APD正常工作,在其P-N结上应加()。A高正向偏压B低正向偏压C低反向偏压D高反向偏压

单选题偏压构件的抗剪承载力()A随着轴向力的增加而增加B随着轴向力的减少而增加C小偏压时随着轴向力的增加而增加D大偏压时随着轴向力的增加而增加

单选题为了使雪崩光电二极管正常工作,在其P-N结上应加()A高正向偏压B低正向偏压C低反向偏压D高反向偏压

单选题取x=xb计算偏压构件,是在(  )情况下。AAs≠As′,且均未知的大偏压BAs≠As′,且均未知的小偏压CAs≠As′,且As′已知时的大偏压DAs≠As′,且As′已知时的小偏压

判断题光伏器件外加反向偏压时,暗电流随反向偏压的增加有所增大,最后趋近于反向饱和电流。A对B错

单选题单层厂房对称配筋偏心受压柱()A当轴力不变时,弯矩增大,小偏压柱纵向配筋量减少B当轴力不变时,弯矩减小,大偏压柱纵向配筋量增多C当弯矩不变时,轴向压力减小,小偏压柱纵向配筋量增多D当弯矩不变时,轴向压力减小,大偏压柱纵向配筋量增多