本征半导体中,温度升高,电子数会增加,空穴数量不变

本征半导体中,温度升高,电子数会增加,空穴数量不变


参考答案和解析
错误

相关考题:

在温度升高时,本征半导体中载流子的数量将()

当本征半导体温度升高时,电子和空穴的数目都()。

在本征半导体中,电子浓度()空穴浓度。

P型半导体中,电子数与空穴数相比()。 A、电子数多于空穴数B、电子数少于空穴数C、电子数等于空穴数D、电子数与空穴数之比为2:3

在N型半导体中,电子数目与空穴数目相比()。 A、电子数多于空穴数B、电子数少于空穴数C、电子数等于空穴数D、电子数与空穴数之比为2:3

本征半导体中具有自由电子和空穴两种载流子,但数量很少,导电能力差。在半导体中加入微量三价元素,使空穴增多,形成P型半导体;如掺入少量五价元素,使电子增多,形成N型半导体。P型半导体中多数载流子是___,N型半导体中多数载流子是___;多数载流子的运动称为___,少数载流子的运动称为___。A、自由电子,空穴;扩散,飘移B、空穴,自由电子;漂移,扩散C、空穴,自由电子;扩散,漂移D、自由电子,空穴;漂移,扩散E、自由电子,空穴;扩散,扩散

半导体中自由电子和空穴数目相等这样半导体叫做()。A、N型半导体B、P型半导体C、本征半导体

半导体中的自由电子和空穴的数量相等,这样的半导体叫做()。A、N型半导体B、P型半导体C、本征型半导体D、以上答案均不对

随着温度的升高,陶瓷半导体电子空穴的浓度按()规律增加。A、线性B、指数C、对数D、阶跃

关于本征半导体载流子,下面描述错误的是:()A、自由电子和空穴总是成对出现B、电子可以自由移动,空穴不能自由移动C、在温度升高和受光照射时,载流子的数目将增加D、自由电子和空穴在外电场作用下,运动方向相反,形成的电流方向相同,总电流是两者之和

本征半导体中,空穴对外呈正电,其电量与电子电量相等。

半导体中的电子数大于空穴数。

P型半导体中,电子数目与空穴数目相比()。A、电子数多于空穴数B、电子数少于空穴数C、电子数等于空穴数D、电子数与空穴数之比为3:2

在N型半导体中,电子是多数载流子,空穴是少数载流子,多子(自由电子)的数量=()+少子(空穴)的数量。A、正离子数B、负离子数C、质子D、原子

本征半导体温度升高后,自由电子和空穴的变化情况是()。A、自由电子数目增加,空穴数目不变B、空穴数目增多,自由电子数目不变C、自由电子和空穴数目都增多,且增量相同D、自由电子和空穴数目不变

在本征半导体中,自由电子浓度()空穴浓度;在P型半导体中,自由电子浓度()空穴浓度;在N型半导体中,自由电子浓度()空穴浓度。

当环境温度升高时,本征半导体中() A、自由电子的数量增加,而空穴的数量基本不变B、自由电子的数量基本不变,而空穴的数量增加C、自由电子和空穴的数量都增加D、自由电子和空穴的数量都减少E、自由电子和空穴的数量都不变

本征半导体温度升高以后()。A、自由电子增多,空穴数基本不变B、空穴数增多,自由电子数基本不变C、自由电子数和空穴数都增多,且数目相同

温度升高后,在纯净的半导体中()A、自由电子和空穴数目都增多,且增量相同B、空穴增多,自由电子数目不变C、自由电子增多,空穴不变D、自由电子和空穴数目都不变

当温度增加时,本征半导体中的自由电子和空穴的数量()A、增加B、减少C、不变

在本征半导体中,自由电子浓度()空穴浓度。A、大于B、等于C、小于

本征半导体温度升高后()。A、自由电子数目增多,空穴数目基本不变B、空穴数目增多,自由电子数目基本不变C、自由电子和空穴数目都增多,且增量相同D、自由电子和空穴数目不变

本征半导体中,自由电子浓度()空穴浓度;在P型半导体中,自由电子浓度()空穴浓度;在N型半导体中,自由电子浓度()空穴浓度。

如果温度升高,半导体的自由电子数将()A、增加B、不变C、减少D、一会增加,一会减少

温度升高后本征半导体中自由电子与空穴两种载流子浓度将不再相等。

本征半导体由于热运动产生载流子使本征半导体中有()A、电子载流子B、空穴载流子C、电子载流子和空穴载流子

半导体中的空穴和自由电子数相等,这样的半导体称为()。A、P型半导体B、本征半导体C、N型半导体D、PN结

单选题在N型半导体中,电子是多数载流子,空穴是少数载流子,多子(自由电子)的数量=()+少子(空穴)的数量。A正离子数B负离子数C质子D原子