陶瓷半导体的电阻率随着温度的升高而升高。() 此题为判断题(对，错)。
半导体的电导率随温度升高而（）。A、按一定规律增大B、呈线性减小C、按指数规律减小
在纯净半导体内掺入适量的硼元素后，整个半导体（）。A、空穴的浓度大大高于自由电子的浓度B、自由电子的浓度大大高于空穴的浓度C、空穴和自由电子的浓度不变
半导体的电导率随温度升高而（）A、按一定规增大B、呈线性减小C、按指数规律减小D、不变化
本征半导体温度升高后，自由电子和空穴的变化情况是（）。A、自由电子数目增加，空穴数目不变B、空穴数目增多，自由电子数目不变C、自由电子和空穴数目都增多，且增量相同D、自由电子和空穴数目不变
在本征半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度；在P型半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度；在N型半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度。
当环境温度升高时，本征半导体中（） A、自由电子的数量增加，而空穴的数量基本不变B、自由电子的数量基本不变，而空穴的数量增加C、自由电子和空穴的数量都增加D、自由电子和空穴的数量都减少E、自由电子和空穴的数量都不变
本征半导体载流子（）A、自由电子和空穴的浓度无法确定B、自由电子的浓度小于空穴的浓度C、自由电子的浓度大于空穴的浓度D、自由电子和空穴的浓度相等
本征半导体温度升高以后（）。A、自由电子增多，空穴数基本不变B、空穴数增多，自由电子数基本不变C、自由电子数和空穴数都增多，且数目相同
温度升高后，在纯净的半导体中（）A、自由电子和空穴数目都增多，且增量相同B、空穴增多，自由电子数目不变C、自由电子增多，空穴不变D、自由电子和空穴数目都不变
当温度增加时，本征半导体中的自由电子和空穴的数量（）A、增加B、减少C、不变
本征半导体温度升高后（）。A、自由电子数目增多，空穴数目基本不变B、空穴数目增多，自由电子数目基本不变C、自由电子和空穴数目都增多，且增量相同D、自由电子和空穴数目不变
本征半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度；在P型半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度；在N型半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度。
杂质半导体中多数载流子的浓度取决于（）A、温度B、杂质浓度C、电子空穴对数目D、都不是
温度升高后本征半导体中自由电子与空穴两种载流子浓度将不再相等。
半导体的电导率随温度升高而（）。A、按一定规律增大；B、呈线性减小；C、按指数规律减小；D、不变化。
P型半导体的特点是（）A、自由电子浓度大于空穴的浓度B、空穴的浓度大于自由电子的浓度C、自由电子的浓度等于空穴的浓度
单选题N型半导体（）A自由电子和空穴的浓度相等B自由电子的浓度小于空穴的浓度C自由电子的浓度大于空穴的浓度D自由电子和空穴的浓度无法确定
单选题杂质半导体中多数载流子的浓度取决于（）A温度B杂质浓度C电子空穴对数目D都不是
单选题晶体中的热缺陷的浓度随温度的升高而增加，其变化规律是（）。A线性增加B呈指数规律增加C无规律D线性减少
单选题在非线性元件的伏安特性研究中，N型半导体和P型半导体中，多数载流子分别是（）A电子、空穴B空穴、电子C电子、电子D空穴、空穴
单选题随着温度的升高，陶瓷半导体电子空穴的浓度按（）规律增加。A线性B指数C对数D阶跃
填空题自由空穴浓度大于自由电子浓度的半导体是（）型半导体
单选题本征半导体载流子（）A自由电子和空穴的浓度无法确定B自由电子的浓度小于空穴的浓度C自由电子的浓度大于空穴的浓度D自由电子和空穴的浓度相等
单选题半导体的电导率随温度升高而（）A按一定规增大B呈线性减小C按指数规律减小D不变化