下列关于P型半导体的说法正确的是()。A、自由电子`数大于空穴总数B、空穴总数远大于自由电子数C、自由电子成为多数载流子D、空穴成为少数载流子
如果半导体中的自由电子和空穴的数目相等,这样的半导体称为()半导体。 A、N型B、P型C、本征
当温度升高时，半导体的电阻将（）。A、增大B、减小C、不变
关于本征半导体载流子，下面描述错误的是：（）A、自由电子和空穴总是成对出现B、电子可以自由移动，空穴不能自由移动C、在温度升高和受光照射时，载流子的数目将增加D、自由电子和空穴在外电场作用下，运动方向相反，形成的电流方向相同，总电流是两者之和
N型半导体自由电子数远多于空穴数，这些自由电子是多数载流子。而空穴是少数载流子，导电能力主要靠自由电子，称为电子型半导体，简称（）。A、W型半导体B、U型半导体C、P型半导体D、N型半导体
P型半导体空穴数远多于自由电子数，这些空穴是多数载流子，而自由电子是少数载流子，导电能力主要靠空穴，称为空穴型半导体，简称（）。A、W型半导体B、U型半导体C、P型半导体
半导体自由电子数远多于空穴数称为电子型半导体，简称N型半导体。
当温度升高时，半导体电阻将（）。A、增大B、减小C、不变
本征半导体温度升高后，自由电子和空穴的变化情况是（）。A、自由电子数目增加，空穴数目不变B、空穴数目增多，自由电子数目不变C、自由电子和空穴数目都增多，且增量相同D、自由电子和空穴数目不变
在本征半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度；在P型半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度；在N型半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度。
当环境温度升高时，本征半导体中（） A、自由电子的数量增加，而空穴的数量基本不变B、自由电子的数量基本不变，而空穴的数量增加C、自由电子和空穴的数量都增加D、自由电子和空穴的数量都减少E、自由电子和空穴的数量都不变
本征半导体温度升高以后（）。A、自由电子增多，空穴数基本不变B、空穴数增多，自由电子数基本不变C、自由电子数和空穴数都增多，且数目相同
温度升高后，在纯净的半导体中（）A、自由电子和空穴数目都增多，且增量相同B、空穴增多，自由电子数目不变C、自由电子增多，空穴不变D、自由电子和空穴数目都不变
本征半导体温度升高后（）。A、自由电子数目增多，空穴数目基本不变B、空穴数目增多，自由电子数目基本不变C、自由电子和空穴数目都增多，且增量相同D、自由电子和空穴数目不变
本征半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度；在P型半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度；在N型半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度。
如果受到光照，半导体的自由电子数将增加，电阻值将（）。A、增加B、不变C、减少D、一会增加，一会减少
如果温度升高，半导体的电阻值将（）。A、增加B、不变C、减少D、一会增加，一会减少
温度升高后本征半导体中自由电子与空穴两种载流子浓度将不再相等。
半导体的空穴数远多于自由电子数，这些空穴是多数载流子，而自由电子是少数载流子，导电能力主要靠空穴，称为空穴型半导体，简称（）。A、W型半导体B、U型半导体C、P型半导体
P型半导体空穴数远多于自由电子数，这些空穴是多数载流子，而自由电子是少数载流子，导电能力主要靠空穴，称为空穴型半导体，简称（）。A、W型半导体B、U型半导体C、P型半导体D、N型半导体
半导体的自由电子数远多于空穴数，这些自由电子是多数载流子，而空穴是少数载流子，导电能力主要靠自由电子，称为电子型半导体，简称（）。A、W型半导体B、U型半导体C、P型半导体D、N型半导体
半导体中的空穴和自由电子数相等，这样的半导体称为（）。A、P型半导体B、本征半导体C、N型半导体D、PN结