半导体中自由电子的数量大大超过“空穴”的数量,成为以自由电子为主的半导体,称为P型半导体。() 此题为判断题(对，错)。
半导体中的“空穴”数量大大超过自由电子的数量,成为以“空穴”导电为主的半导体,称为P型半导体。() 此题为判断题(对，错)。
本征半导体中具有自由电子和空穴两种载流子，但数量很少，导电能力差。在半导体中加入微量三价元素，使空穴增多，形成P型半导体；如掺入少量五价元素，使电子增多，形成N型半导体。P型半导体中多数载流子是___，N型半导体中多数载流子是___；多数载流子的运动称为___，少数载流子的运动称为___。A、自由电子，空穴；扩散，飘移B、空穴，自由电子；漂移，扩散C、空穴，自由电子；扩散，漂移D、自由电子，空穴；漂移，扩散E、自由电子，空穴；扩散，扩散
半导体中空穴电流是由（）A、价电子填补空穴形成的B、自由电子填补空穴形成的C、空穴填补自由电子形成的D、自由电子定向运动形成的
半导体中的“空穴”数量大大超过自由电子的数量，成为以“空穴”导电为主的半导体，称为（）半导体。A、N型B、P型C、PN型D、NP型
半导体中的自由电子和空穴的数量相等，这样的半导体叫做（）。A、N型半导体B、P型半导体C、本征型半导体D、以上答案均不对
在纯净半导体内掺入适量的硼元素后，整个半导体（）。A、空穴的浓度大大高于自由电子的浓度B、自由电子的浓度大大高于空穴的浓度C、空穴和自由电子的浓度不变
杂质半导体（）A、自由电子和空穴的浓度不相等B、自由电子的浓度小于空穴的浓度C、自由电子的浓度大于空穴的浓度D、自由电子和空穴的浓度无法确定
P型半导体中，主要依靠（）导电，（）是少数载流子。A、空穴；空穴B、空穴；自由电子C、自由电子；空穴D、自由电子；自由电子
本征半导体温度升高后，自由电子和空穴的变化情况是（）。A、自由电子数目增加，空穴数目不变B、空穴数目增多，自由电子数目不变C、自由电子和空穴数目都增多，且增量相同D、自由电子和空穴数目不变
在本征半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度；在P型半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度；在N型半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度。
在P型半导体和N型半导体的接合部会产生一个区域，它（）。A、有自由电子，没有空穴B、没有自由电子，有空穴C、有自由电子，有空穴D、没有自由电子，没有空穴
本征半导体载流子（）A、自由电子和空穴的浓度无法确定B、自由电子的浓度小于空穴的浓度C、自由电子的浓度大于空穴的浓度D、自由电子和空穴的浓度相等
本征半导体温度升高以后（）。A、自由电子增多，空穴数基本不变B、空穴数增多，自由电子数基本不变C、自由电子数和空穴数都增多，且数目相同
温度升高后，在纯净的半导体中（）A、自由电子和空穴数目都增多，且增量相同B、空穴增多，自由电子数目不变C、自由电子增多，空穴不变D、自由电子和空穴数目都不变
当温度增加时，本征半导体中的自由电子和空穴的数量（）A、增加B、减少C、不变
半导体中的载流子是指（）A、自由电子B、空穴C、离子D、自由电子和空穴
本征半导体温度升高后（）。A、自由电子数目增多，空穴数目基本不变B、空穴数目增多，自由电子数目基本不变C、自由电子和空穴数目都增多，且增量相同D、自由电子和空穴数目不变
本征半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度；在P型半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度；在N型半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度。
在P型半导体中，空穴是多数载流子，电子是少数载流子，多子（空穴）的数量＝（）＋少子（自由电子）的数量。A、正离子数B、负离子数C、质子D、原子
半导体中自由电子的数量大大超过“空穴”的数量，成为以自由电子为主的半导体，称为（）半导体。A、PN型B、P型C、N型D、NP型
P型半导体的特点是（）A、自由电子浓度大于空穴的浓度B、空穴的浓度大于自由电子的浓度C、自由电子的浓度等于空穴的浓度
单选题N型半导体（）A自由电子和空穴的浓度相等B自由电子的浓度小于空穴的浓度C自由电子的浓度大于空穴的浓度D自由电子和空穴的浓度无法确定
单选题P型半导体中，主要依靠（）导电，（）是少数载流子。A空穴；空穴B空穴；自由电子C自由电子；空穴D自由电子；自由电子
单选题在N型半导体中，电子是多数载流子，空穴是少数载流子，多子（自由电子）的数量＝（）＋少子（空穴）的数量。A正离子数B负离子数C质子D原子
单选题本征半导体载流子（）A自由电子和空穴的浓度无法确定B自由电子的浓度小于空穴的浓度C自由电子的浓度大于空穴的浓度D自由电子和空穴的浓度相等
单选题杂质半导体（）A自由电子和空穴的浓度不相等B自由电子的浓度小于空穴的浓度C自由电子的浓度大于空穴的浓度D自由电子和空穴的浓度无法确定