高价正离子占据低价正离子位置时,为了保持电中性,会产生()A.负离子空位B.正离子空位C.间隙负离子D.电子空穴
高价正离子占据低价正离子位置时,为了保持电中性,会产生()
A.负离子空位
B.正离子空位
C.间隙负离子
D.电子空穴
参考答案和解析
BC
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门店在设置推广时什么情况下会提示价格过高?()A、高价品类>35元,低价品类>20元时B、高价品类≥25元,低价品类≥15元时C、高价品类>25元,低价品类>15元时D、高价品类≥35元,低价品类≥20元时
某化合物在一个具有固定狭峰位置和恒定磁场强度B的质谱仪中分析,当加速电压V慢慢地增加时,则首先通过狭峰的是:()A、质量最小的正离子B、质量最大的负离子C、质荷比最低的正离子D、质荷比最高的正离子
某化合物用一个具有固定狭缝位置和恒定加速电压V的质谱分析仪进行分析时,当磁场强度H慢慢增加时,首先通过狭缝的是()。A、质荷比最高的正离子B、质荷比最低的正离子C、质量最大的正离子D、质量最小的正离子
单选题热缺陷亦称为本征缺陷,是指由热起伏的原因所产生的空位或间隙质点(原子或离子)。生成弗仑克尔缺陷(Frenkeldefect)时,()。A间隙和空位质点同时成对出现B正离子空位和负离子空位同时成对出现C正离子间隙和负离子间隙同时成对出现D正离子间隙和位错同时成对出现
单选题将下列化合物按碳正离子稳定性排序( )。a.对甲氧基苯甲基正离子b.苯甲基正离子c.对硝基苯甲基正离子d.对甲基苯甲基正离子Ad>a>c>bBa>d>c>bCa>d>b>cDd>a>b>c
问答题从负离子的立方密堆积出发, (1)正离子填满所有四面体位置; (2)正离子填满一半四面体位置,如T+位置; (3)正离子填满所有的八面体位置; (4)正离子填满八面体位置的交替层。说明四种情况的结构类型。
单选题热缺陷亦称为本征缺陷,是指由热起伏的原因所产生的空位或间隙质点(原子或离子)。当离子晶体生成肖特基缺陷(Schottkydefect)时,()。A正离子空位和负离子空位是同时成对产生的,同时伴随晶体体积的缩小B正离子空位和负离子空位是同时成对产生的,同时伴随晶体体积的增加C正离子空位和负离子间隙是同时成对产生的,同时伴随晶体体积的增加D正离子间隙和负离子空位是同时成对产生的,同时伴随晶体体积的增加
判断题硝化剂能产生硝化活泼质点的硝酰正离子。()A对B错